El MOSFET TPH9R00CQH reduce las pérdidas y los picos de tensión en fuentes de alimentación conmutadas.
Toshiba Electronics Europe (“Toshiba”) lanza un nuevo MOSFET de potencia de canal-N de 150 V que usa el proceso U-MOSX-H de última generación para reducir significativamente las pérdidas.
Además, los picos de tensión entre el desagüe y la fuente durante la conmutación disminuyen, mejorando así el rendimiento ante la interferencia electromagnética (EMI) con fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
El nuevo dispositivo está especialmente indicado en una amplia variedad de aplicaciones, incluyendo SMPS en equipos industriales, estaciones base y centros de datos.
El MOSFET TPH9R00CQH tiene una drain–source on–resistance (RDS(ON)) de sólo 9 mΩ (max. @ VGS=10 V). Esto supone una reducción de aproximadamente el 42 por ciento en comparación con el actual modelo de 150 V (TPH1500CNH), que se basa en el proceso U-MOSVIII-H.
Las especificaciones (figures-of-merit – FoM) como RDS(ON) x QSW y RDS(ON) x QOSS se han reducido alrededor de un 20 y un 28 por ciento, respectivamente, con el consecuente aumento de rendimiento.
Mediante la optimización de la estructura del dispositivo, se han mejorado las características de carga. Con una carga de puerta (Qg) total de 44 nC y una carga de conmutación de carga (QSW) de 11,7 nC, el MOSFET garantiza un excelente rendimiento, especialmente en aplicaciones de alta velocidad.
El nuevo TPH9R00CQH dota de dos opciones de encapsulado de montaje superficial (SPD): SOP Advance (5 x 6 mm) y SOP Advance(N) (4,9 x 6,1 mm) para adecuarse a las necesidades de cada aplicación.
