KIOXIA Europe y Western Digital anuncian el lanzamiento de su última tecnología de memorias flash 3D, que cuenta con una capacidad, rendimiento y fiabilidad excepcionales a un precio atractivo. Esta tecnología se diseñó para satisfacer las crecientes necesidades de almacenamiento de datos en diversos segmentos de mercado.
La innovación continua ha permitido a ambas compañías lograr avances significativos en la escalabilidad lateral y vertical, lo que se traduce en una mayor capacidad en un encapsulado más pequeño con menos capas y un coste optimizado.
La tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array), que consiste en la unión de obleas CMOS y de matriz celular, se desarrolla para proporcionar una mayor densidad de bits y una velocidad de entrada/salida NAND rápida.
Características clave de las nuevas memorias flash 3D
Para empezar, sus 218 capas ofrecen una densidad de bits superior al 50%, gracias a su innovadora tecnología de encogimiento lateral. La tecnología de escritura y lectura mejorada también aumenta la velocidad de transferencia de datos y mejora la usabilidad general para los usuarios.
Con una I/O NAND de alta velocidad a más de 3,2 Gb/s, la octava generación de BiCS FLASH cuenta con la densidad de bits más alta del sector, aprovechando 1 Tb de celda de tres niveles (TLC) y celda de cuatro niveles (QLC) con cuatro planos.
Así, el lanzamiento de la nueva tecnología de memorias flash 3D es un resultado directo de la sólida asociación de ingeniería entre KIOXIA y Western Digital, que han trabajado juntos en una hoja de ruta de I+D común e invirtiendo continuamente en I+D.
Las compañías han demostrado una vez más su liderazgo combinado en innovación y su compromiso con el desarrollo de soluciones tecnológicas de vanguardia para satisfacer las necesidades de los consumidores en todo el mundo.
