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TCK12xBG circuito de conmutación de carga para dispositivos weareables e IoT

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Los modelos TCK12xBG reducen la corriente quiescente (0,08 nA) para aumentar la eficiencia de dispositivos alimentados por una batería pequeña.

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation («Toshiba«) anuncia su serie TCK12xBG de circuitos integrados de conmutación de carga que se distinguen por la reducción de la corriente quiescente, una corriente de salida de 1 A y una corriente en standby de 13 nA (típica).

Disponibles en encapsulado WCSP4G, estos CI soportarán el desarrollo de una nueva generación de dispositivos weareables e IoT con menor consumo y mayor autonomía entre cargas.

La serie TCK12xBG usa un nuevo circuito de controlador, con una corriente quiescente ON-state típica de 0,08 nA. Este valor representa una reducción en la región del 99,9 por ciento con respecto al modelo TCK107AG de Toshiba y respalda una gran mejora en la eficiencia de los dispositivos alimentados por una batería de pequeño tamaño.

Con unas dimensiones de 0,645 × 0.645 mm, su encapsulado WCSP4G es un 34 por ciento más compacto que el de los CI TCK107AG y, por lo tanto, permite el montaje en tarjetas pequeñas. Además, su cubierta trasera contribuye a minimizar la posibilidad de daños que puede producirse en el proceso de montaje de un minute chip.

Modelos en la nueva familia

Esta nueva línea de productos se compone, de momento, de tres CI: el TCK127BG con descarga automática que se enciende en activo alto; el TCK126BG sin descarga automática que se pone en marcha en activo alto; y el TCK128BG con descarga automática que se enciende en baja activa.

TCK12xBG circuito de conmutación de carga para dispositivos weareables e IoT

Así, esta terna de modelos permite a los desarrolladores y los diseñadores de productos seleccionar el conmutador de carga que mejor se adapta a sus necesidades.

La serie TCK12xBG también se puede emplear en teléfonos móviles inteligentes: encendido y apagado de la fuente de alimentación de sensores y otros elementos. Permite sustituir circuitos formados por semiconductores discretos.

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