Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada Infineon Technologies ha presentado sus nuevos MOSFETs delgados de 700 V pertenecientes a lafamilia CoolMOS P7 con el objetivo de satisfacer las necesidades de topologías flyback cuasi resonantes. Estos MOSFET proporcionan mejoras en rendimiento en comparación con las actuales topologías de súper-unión (superjunction).
Las topologías de conmutación suave, como las de cargadores de Smartphones y Tablets y las de adaptadores de ordenadores portátiles se benefician de esta ventaja.
Con un formato muy fino, los nuevos modelos CoolMOS también soportan conmutación rápida y diseños de elevada densidad de potencia para adaptadores de televisores, sistemas de iluminación, audio y alimentación auxiliar.
La tecnología de los MOSFETs delgados de 700 V CoolMOS P7 se distingue por reducción de pérdidas de conmutación (E OSS) del 27 al 50 por ciento. En una aplicación de cargador basado en flyback, ayuda a incrementar la eficiencia hasta un 3.9 por ciento. Además, la temperatura del dispositivo disminuye hasta 16 K.
En comparación con los modelos C6 de 650 V previos, logran un 2.4 por ciento más de eficiencia y 12 K menos de temperatura.
El diodo Zener integrado garantiza un incremento de la resistencia a la descarga electrostática (ESD) de nivel hasta HBM Clase 2. Los clientes se benefician de facilidad de ensamblaje y, por lo tanto, de ahorro de costes.
Las unidades CoolMOS P7 de 700 V que minimizan las pérdidas, han sido desarrolladas con un V GSth de 3 V y una tolerancia estrecha de ±0.5 V. Esto hace que sean fáciles de diseñar y permite el uso de menor tensión de fuente de puerta.
Formatos para los MOSFETs delgados de 700 V
Los nuevos MOSFET se encuentran disponibles en diversas combinaciones de encapsulado R DS(on), incluyendo entre 360 y 1400 mΩ en IPAK SL, DPAK y TO-220FP.
