Los nuevos MOSFET SJ de 600 V, que tienen una RDS(on) desde 44 mΩ, superan los requisitos cambiantes de cargadores de vehículos eléctricos y servidores.
Magnachip Semiconductor anuncia el lanzamiento de una nueva familia de transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal Super Junction (MOSFET SJ) de 600 V, compuesta por nueve productos distintos con tecnología de diseño propia.
El diseño de Magnachip ofrece una reducción de la resistencia específica (RSP) de alrededor del 10 por ciento y, por lo tanto, logra mantener los mismos pasos de celda de los MOSFET de la anterior generación.
La nueva familia de MOSFET SJ de 600 V está equipada con un diodo de cuerpo de recuperación rápida, que permite aumentar significativamente la eficiencia de sistema con reducción tanto en el tiempo de recuperación inversa (trr) como en la pérdida de conmutación.
Por lo tanto, la figura de mérito para evaluar el rendimiento general de los MOSFET mejora en más del 10 por ciento en comparación con la generación previa. Así, estos MOSFET SJ de 600 V se pueden emplear en múltiples entornos industriales, como inversores solares, sistemas de almacenamiento de energía, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y electrónica.
Entre los nuevos MOSFET, el MMQ60R044RFTH se distingue por una RDS(on) de 44 mΩ, óptima para cargadores de vehículos eléctricos (VE) y servidores.
“Tras la introducción de estos productos MOSFET SJ de 600 V, nuestro siguiente objetivo es presentar nuevos modelos de 650 y 700 V con diodo de cuerpo de recuperación rápida en la segunda mitad de 2023”, señala YJ Kim, CEO de Magnachip. “Estas novedades representan un logro notable para la compañía y queremos seguir suministrando soluciones de próxima generación para cumplir los requisitos del mercado y las expectativas de los clientes que cambian rápidamente”.
Modelos disponibles
- MMQ60R044RFTH: RDS(on) de 44 mΩ y encapsulado TO247
- MMQ60R078RFTH: RDS(on) de 78 mΩ y encapsulado TO247
- MMFA60R400RFZTH: RDS(on) de 400 mΩ y encapsulado TO220FA
- MMD60R400RFZRH: RDS(on) de 400 mΩ y encapsulado DPAK
- MMFA60R650RFZTH: RDS(on) de 650 mΩ y encapsulado TO220FA
- MMHS60R650RFZURH: RDS(on) de 650 mΩ y encapsulado SOT223
- MMD60R650RFZRH: RDS(on) de 650 mΩ y encapsulado DPAK
- MMFA60R1K0RFZTH: RDS(on) de 1 Ω y encapsulado TO220FA
- MMD60R1K0RFZRH: RDS(on) de 1 Ω y encapsulado DPAK
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