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Controladores lineales 80G para aplicaciones coherentes

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Los controladores lineales 80G para aplicaciones coherentes de la serie GX7847x están optimizados para mejorar el rendimiento de moduladores de niobato de litio, fosfuro de indio y fotónica de silicio.

Mouser Electronics, una filial deTTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que IDT introduce ya su nueva serie GX7847x de controladores lineales 80G en formato die para módulos integrados ópticos y coherentes de próxima generación.

El mercado de soluciones coherentes sigue creciendo a un ritmo del 44 por ciento (CAGR) en puertos, con capacidad de 400G-plus. Según el informe Cignal AI 3Q18, las aplicaciones de quinta generación podrán soportar ancho de banda de 800 Gbps a 1 Tbps, con una ratio entre 80 y 100 Gbaud.

La serie IDT GX7847x consta de modelos con die integrado de cuatro canales que cubren todas las tecnologías de modulador óptico. Los modelos GX78471, GX78472 y GX78474 están optimizados para mejorar el rendimiento de moduladores de niobato de litio, fosfuro de indio y fotónica de silicio, respectivamente.

Usos para los controladores lineales 80G para aplicaciones coherentes

Los nuevos drivers han sido diseñados para rendir en aplicaciones 400G ZR, Metro y Data Center Interconnect (DCI) y son compatibles con el estándar Optical Interconnect Forum (OIF).

Controladores lineales 80G para aplicaciones coherentesSe pueden emplear en módulos de subensamblaje, como High Bandwidth Coherent Driver Modulator (HB-CDM) e Integrated Coherent Transmitter-Receiver Optical Sub-Assembly (IC-TROSA), que se benefician de mayor ancho de banda sin degradación en lo que se refiere oscilación de tensión de salida, linealidad, consumo de energía y tamaño de die.

Los módulos ópticos integrados con controladores lineales 80G de IDT proporcionarán ancho de banda de 60 GHz con capacidad de modificar la respuesta de frecuencia y mejorar la respuesta E/O, tensión de salida de 2 Vppd para dirigir InP y 4Vppd para moduladores de niobato de litio y fotónica de silicio y linealidad de menos del 1 por ciento de THD para modulación de 64QAM.

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