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MOSFET de potencia n-channel de 25 V

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El MOSFET de potencia n-channel de 25 V SiRA20DP ofrece una resistencia máxima de 0.58 mΩ a 10 V y una carga de puerta de 61 nC en un encapsulado PowerPAK SO-8.

Mouser Electronics, distribuidor de introducción de nuevos productos, con la más amplia selección de semiconductores y componentes electrónicos, y que fue nombrado distribuidor de comercio electrónico del 2016 para Europa por Vishay Intertechnology, ha introducido un MOSFET de potencia n-channel TrenchFET Gen IV de 25 V del fabricante con la mínima resistencia (on-resistance) de la industria para un dispositivo de su clase: 0.58 mΩ a 10 V.

MOSFET de potencia n-channel de 25 VOfreciendo mejoras en eficiencia y densidad de potencia para un gran número de aplicaciones, el Vishay Siliconix SiRA20DP proporciona la figura de mérito (FOM) con menor carga de puerta (y tiempo de carga) para dispositivos con on-resistance por debajo de 0.6 mΩ.

Disponible en un encapsulado PowerPAK SO-8 de 6 x 5 mm, este MOSFET de potencia n-channel es “uno de los dos únicos modelos de su clase” con on-resistance menor de 0.6 mΩ. El SiRA20DP se caracteriza por carga de puerta de 61 nC y una FOM un 32 por ciento menor (de 0.035 Ω*nC). El resto de MOSFET n-channel de 25 V tiene una resistencia, al menos, un 11 por ciento superior.

Esta baja resistencia contribuye a minimizar las pérdidas de conducción y, por consiguiente, aumentar la eficiencia de sistema y la densidad de potencia, algo esencial en funciones OR-ring en arquitecturas redundantes.

La FOM, por su parte, mejora el rendimiento de conmutación de conversión DC/DC en fuentes de alimentación de servidores y sistemas de telecomunicaciones, baterías y conmutación de carga para carriles de entrada de 5 a 12 V.

Otras características en el MOSFET de potencia n-channel de 25 V

Los MOSFET SiRA20DP, que son libres de halógenos, cumplen la normativa RoHS y superan los test RG y UIS.

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