Los MOSFET MXT MDWC12D028ERH de 12 V y MDWC24D031ERH de 24 V ayudan a reducir significativamente la RDS(on) y las pérdidas de conducción durante la operación.
MagnaChip Semiconductor anuncia el lanzamiento de dos MOSFET (transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor) MXT de séptima generación basados en su tecnología Super–ShortChannel que están especialmente indicados en módulos del circuito de protección de batería en teléfonos móviles inteligentes.
Super–Short Channel es la última tecnología de diseño de Magnachip para acortar la longitud de canal entre la fuente y el drenaje y, por ende, reducir significativamente la RDS(on) y las pérdidas de conducción durante la operación. La compañía está aplicando esta tecnología en los MOSFET de 12 V (MDWC12D028ERH) y 24 V (MDWC24D031ERH).
Gracias a esta innovación, los tamaños de los nuevos MOSFET se han reducido un 20 por ciento, mientras que la RDS(on) de los modelos MDWC12D028ERH y MDWC24D031ERH ha disminuido un 40 y un 24 por ciento, respectivamente, en comparación con las versiones previas.
Los avances también contribuyen a mermar la pérdida de potencia cuando una batería se está cargando o descargando, manteniendo una temperatura operativa “baja” en tareas de recarga rápida.
En la segunda mitad de año, Magnachip tiene previsto el lanzamiento de MOSFET MXT Super–Short Channel con diseño compacto y mayor eficiencia para las baterías de pequeño tamaño en dispositivos wearables, como relojes inteligentes y audífonos.
“La nueva tecnología Super–Short Channel ha permitido llevar el rendimiento de los MOSFET MXT al siguiente nivel”, destaca YJ Kim, CEO de Magnachip. “Seguiremos esforzándonos para proporcionar innovación tecnológica y soluciones de gestión de energía premium que satisfagan las necesidades cambiantes de los fabricantes de dispositivos móviles”.
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