Los nuevos MOSFET MV de 200 V cumplen los requisitos de controladores de motor de vehículos eléctricos ligeros (LEV) y fuentes de alimentación industriales.
Magnachip Semiconductor anuncia la introducción de sus transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de media tensión (MV) de 200 V de tercera generación para controladores de motor de vehículos eléctricos ligeros (LEV), como e–bikes, y fuentes de alimentación industriales.
Así, para maximizar la eficiencia en dispositivos de potencia, estos nuevos MOSFET de 200 V incorporan tecnología de MOSFET trench de tercera generación. La capacidad se ha reducido un 50 por ciento en comparación con los modelos MV de 100 V anteriores y mejorado el diseño de la celda de núcleo para disminuir la RDS(on) y aumentar la carga de puerta total.
Además, estos MOSFET MV de tercera generación se encuentran disponibles en encapsulados TO-Leadless Package (TOLL), M2PAK y TO-220 con la misión de disminuir el tamaño del producto e incrementar la disipación de calor.
La eficiencia también aumenta, al igual que la rapidez de conmutación y la densidad de potencia. En combinación con una temperatura de unión de -55 a +175 °C y un alto nivel de robustez en avalancha, los nuevos MOSFET satisfacen las necesidades de aquellas aplicaciones que demandan eficiencia y alimentación estable.
“El desarrollo de aplicaciones avanzadas en los sectores de la automoción y la industria está impulsando la necesidad de MOSFET MV de alto rendimiento”, afirma YJ Kim, CEO de Magnachip. “Nuestra compañía continúa actualizando la línea de MOSFET MV, que consta de modelos de 40 a 200 V, con el objetivo de ayudar a los clientes a fortalecer su competitividad”.
Modelos de 200 V disponibles
- MDT20N109PTRH: RDS(on) de 10,9 mΩ y encapsulado TOLL
- MDY20N113PTRH: RDS(on) de 11,3 mΩ y encapsulado M2PAK
- MDP20N116PTTH: RDS(on) de 11.6 mΩ y encapsulado TO-220
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