Vishay Intertechnology, ha presentado un nuevo MOSFET de potencia dual TrenchFET de canal n dual en un paquete SC-70 PowerPAK térmicamente mejorado y ultra-compacto.
Diseñado para ahorrar espacio y aumentar la eficiencia de potencia en los dispositivos electrónicos portátiles, el MOSFET de potencia dual Vishay Siliconix SiA936EDJ ofrece la sobre-resistencia más baja de la industria para dispositivos de 20 V (12 V VGS y 8 V VGS) en unidades de puerta de 4,5 V y 2,5 V en un tamaño de área de 2 mm por 2 mm.
El MOSFET de potencia dual que se acaba de presentar está optimizado para conmutadores de carga y cargadores, convertidores CC/CC, y bridges-H y protección de la batería para la administración de energía en los teléfonos inteligentes, tablet PCs, dispositivos informáticos móviles, productos sanitarios portátiles no implantables y dispositivos electrónicos portátiles de consumo con pequeños motores sin escobillas de CC.
Para estas aplicaciones el SiA936EDJ ofrece una muy baja resistencia de 34 mΩ (4,5 V), 37 mΩ (3,7 V), y 45 mΩ (2,5 V) e incorpora una función de protección ESD de 2000 V. Su sobre-resistencia a 2,5 V es un 11,7% inferior que el dispositivo VGS de 8 V más cercano de la competencia, al tiempo que proporciona una mayor banda de seguridad (G-S) y el 15,1 % inferior que el dispositivo VGS de 12 V más cercano de la competencia.
La sobre-resistencia más baja del MOSFET de potencia dual permite a los diseñadores lograr una menor caída de la tensión en sus circuitos y promover un uso más eficiente de la energía y los tiempos de funcionamiento de la batería.
Aplicaciones del MOSFET de potencia dual
Mediante la integración de dos MOSFET en un paquete compacto, el SiA936EDJ dual simplifica diseños, disminuye el recuento global de componentes y ahorra espacio crítico en la PCB. El MOSFET está 100 % testeado Rg y libre de halógenos de acuerdo con la definición JEDEC JS709A, y cumple con la directiva RoHS 2011/65/UE.
