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MOSFET de potencia con nuevo encapsulado

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Ofreciendo un rendimiento mejorado, este MOSFET de potencia utiliza el nuevo sistema de encapsulado estándar de la industria.

La germana Infineon Technologies, especialista en soluciones de semiconductores para mercados como el industrial o el automovilístico, da a conocer su nuevo MOSFET OptiMOS Source-Down de 25 V en un encapsulado de tipo PQFN de 3,3×3,3 mm.

Con esta nueva creación, Infineon busca llevar la innovación en los sistemas al nivel de las mejoras en el nivel de los componentes.

El Source Down se erige como el nuevo concepto en encapsulado estándar de la industria; la primera ola de MOSFETs de potencia lanzado en este nuevo tipo de paquete es el presente, el OptiMOS de 25 V.

El nuevo MOSFET de potencia de Infineon reduce la resistencia on-state (R DS(on)), ofreciendo una capacidad de administración térmica de nivel superior. Es un dispositivo que marca un punto y aparte en la industria -según afirman desde la marca germana-, y que está bien preparado para dar servicio a un amplio rango de aplicaciones como controladores, SMPS (incluyendo servidores, telecomunicaciones, y OR-ing), y administración de baterías.

El nuevo concepto de encapsulado permite conectar el potencial fuente (en vez del potencial de drenaje) a la almohadilla térmica. Junto a las posibilidades que habilita la nueva disposición de la placa PCB, todo esto contribuye a conseguir una mayor densidad y rendimiento.

Posibilidades en los modelos de MOSFET

Dos versiones, cada una de ellas con una huella distinta, son las lanzadas por el momento: el Source-Down Standard-Gate, y el Source-Down Center-Gate. Para ambas, el encapsulado es el antes comentado PQFN de 3,3×3,3 mm.

El primero de ellos, el Source-Down Standard-Gate mantiene la conexión eléctrica en el mismo lugar, simplificando el reemplazo directo de los actuales encapsulados Drain-Down con el nuevo tipo de encapsulado Source-Down.

Para la versión Center-Gate, el pin de puerta (gate) ha sido movido hacia el centro, ofreciendo una configuración simple de múltiples MOSFET en paralelo. Con su mayor distancia de fuga de drenaje a la fuente, es posible conectar las puertas de múltiples dispositivos en una sola capa de la placa PCB. Además, mover la conexión de la puerta al centro conduce a un área de fuente más amplia para mejorar la conexión eléctrica de los dispositivos.

MOSFET de potencia con nuevo encapsulado

Estas innovaciones de la tecnología redundan en una mayor reducción del R DS(on), de cerca de un 30% en comparación con la tecnología actualmente empleada. La resistencia térmica entre la unión a la caja (R thJC) también se ve significativamente mejorada en comparación con los actuales encapsulados PQFN. Las corrientes parasitarias se ven reducidas, se mejoran las pérdidas de la PCB, así como se ofrece un rendimiento térmico superior.

Ambos ejemplares del OptiMOS Source-Down 25 V ya se encuentran disponibles.

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