Ofreciendo la menor RDS(ON)*Qg FOM (3.1 Ω*nC), el MOSFET de potencia a 600 V de cuarta generación SiHH068N60E ayuda a aumentar la eficiencia en telecomunicaciones, entornos industriales y aplicaciones enterprise.
El distribuidor internacional Digi-Key Electronics informa que Vishay Intertechnology, uno de los mayores fabricantes del mundo de semiconductores discretos (diodos, MOSFET y optoelectrónica infrarroja) y componentes electrónicos pasivos (resistencias, inductores y condensadores) introduce el último dispositivo de su cuarta generación de MOSFET de potencia E Series de 600 V, que proporciona elevada eficiencia en telecomunicaciones, entornos industriales y aplicaciones enterprise.
El nuevo Vishay Siliconix n-channel SiHH068N60E reduce la resistencia (on-resistance) un 27 por ciento en comparación con MOSFET de la anterior generación y, al mismo tiempo, disminuye un 60 por ciento la carga de puerta.
Esto se traduce en la menor resistencia para los dispositivos de su clase usados en aplicaciones de conversión de potencia.
Vishay ofrece una amplia gama de tecnologías de MOSFET que soportan todas las fases del proceso de conversión de potencia, desde entradas de alta tensión a salidas de bajo voltaje requeridas por los últimos sistemas electrónicos.
Futuro para el MOSFET de potencia a 600 V de cuarta generación
Con el SiHH068N60E y los dispositivos venideros de la familia E Series de 600 V, la compañía pretende responder a la demanda de mejoras en eficiencia y densidad de potencia en las primeras fases de la arquitectura de sistemas de alimentación – corrección de factor de potencia y topologías de convertidor DC/DC hard-switched.
Aprovechando la tecnología de superjunction E Series, el nuevo modelo se caracteriza por una low on-resistance típica de 0.059 Ω a 10 V y una carga de puerta ultrabaja desde 53 nC. El FOM de 3.1 Ω*nC es un 12 por ciento menor que el del MOSFET más cercano de su clase.
Para mejorar el rendimiento de conmutación, el SiHH068N60E dota de capacitancias de salida Co(er) y Co(tr) de 94 pF y 591 pF, respectivamente. Estos valores garantizan una reducción de consumo y pérdidas de conmutación a la hora de ahorrar energía.
Disponible en un encapsulado PowerPAK 8×8, el nuevo MOSFET de potencia a 600 V es libre de halógenos (RoHS) y resiste transitorios de sobretensión en modo avalancha (superando el test UIS).
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