El XPJ1R504PB es un MOSFET de potencia de canal N para sistemas de 12 V que combina encapsulado S-TOGL, 40 V, 120 A y baja resistencia en conducción.
El nuevo XPJ1R504PB de Toshiba es un MOSFET de potencia de canal N, es decir, un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor, desarrollado para aplicaciones de automoción con conformidad AEC-Q101.
Orientado a sistemas de 12 V, el dispositivo amplía la familia de MOSFET de 40 V en encapsulado S-TOGL y cubre funciones como inversores, relés semiconductores, interruptores de carga y accionamientos de motor.
Además, su capacidad nominal de 120 A permite abordar etapas de potencia donde la densidad de corriente y el control térmico condicionan el diseño de la placa de circuito impreso.
Encapsulado S-TOGL para montaje compacto en PCB
El encapsulado S-TOGL favorece el montaje de alta densidad y, por tanto, ayuda a reducir el espacio ocupado por la electrónica de potencia dentro de equipos de automoción.
En concreto, sus terminales tipo gull-wing contribuyen a aliviar las tensiones mecánicas del montaje y mejoran la fiabilidad de las uniones soldadas frente a ciclos térmicos.
La estructura sin postes integra la conexión del electrodo de fuente del chip y los terminales externos, lo que reduce la resistencia parásita dentro del camino de conducción.
Como resultado, el XPJ1R504PB alcanza una resistencia en conducción RDS(ON) máxima de 1,54 mΩ con una tensión puerta-fuente VGS de 10 V.
XPJ1R504PB con baja impedancia térmica transitoria
Para limitar la generación de calor, el encapsulado emplea un bastidor de cobre grueso que reduce la impedancia térmica transitoria entre canal y carcasa, denominada Zth(ch-c), hasta 0,76 °C/W.
Por ello, el componente facilita una disipación más eficiente en diseños donde las pérdidas por conducción influyen directamente en el rendimiento global del sistema.
Asimismo, la estructura multipin en los terminales de fuente mejora la distribución de corriente y permite mantener una conducción más homogénea en condiciones de alta demanda.
La combinación de baja resistencia interna y buena evacuación térmica resulta relevante en módulos de control de motor, etapas de conmutación y cargas eléctricas integradas en vehículos.
Componente AEC-Q101 para electrónica de automoción
La conformidad AEC-Q101 identifica su adecuación a requisitos de fiabilidad aplicables a semiconductores discretos utilizados en entornos de automoción.
No obstante, el interés del dispositivo no se limita a la calificación, ya que también responde a la necesidad de reducir pérdidas en equipos sometidos a amplios rangos de temperatura.
Dentro de la misma línea de encapsulados, la incorporación de este modelo se suma a referencias como XPJR6604PB y XPJ1R004PB, ofreciendo opciones para distintos niveles de prestaciones.
Para el diseñador electrónico, esta ampliación facilita la selección de un MOSFET compatible con arquitecturas compactas donde importan el área de PCB, la resistencia térmica y la robustez de soldadura.
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