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Módulos de potencia inteligente MOSFET

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Con escasas pérdidas por conducción, estos módulos de potencia inteligente MOSFET para movilidad eléctrica reducen las pérdidas en, por lo menos, un factor de 3 respecto a los módulos de potencia más avanzados.

CISSOID, compañía especializada en los semiconductores de alta temperatura para su uso en mercados con características de funcionamiento exigentes, anuncia sus nuevos módulos MOSFET de potencia inteligente (IPM, por sus siglas en inglés) SiC trifásicos, para su uso en aplicaciones de movilidad eléctrica.

Esta nueva tecnología IPM ofrece una solución todo-en-uno en la que se incluye un módulo MOSFET SiC trifásico refrigerado por agua, con controladores de puerta incorporados.

Gracias a la co-optimización del diseño eléctrico, mecánico y térmico del módulo de potencia y su control de proximidad, esta nueva plataforma escalable mejorará el tiempo de lanzamiento al mercado para los fabricantes OEM de vehículos eléctricos y fabricantes de motores eléctricos que desean adoptar rápidamente los inversores basados en la tecnología SiC para mejorar la eficiencia y los accionamientos de motor compactos.

Con estos módulos de potencia inteligente MOSFET para movilidad eléctrica, CISSOID mantiene su foco en los mercados automotriz e industrial.

Productos concretos de energía

El primer producto de esta plataforma escalable es un IPM MOSFET SiC trifásico de 1200 V/450 A que proporciona unas escasas pérdidas por conducción. Tiene una resistencia On de 3,25 mOhms, y también una baja pérdida por switching con, respectivamente, energías de 8,3 mJ de arranque y 11,2 mJ de apagado a 600 V/300 A.

Reduce pérdidas en, por lo menos, un factor de 3 respecto a los módulos de potencia IGBT más avanzados. El nuevo módulo es refrigerado por agua a través de una placa base ligera con aletas AlSiC para una resistencia térmica de unión a fluido, de 0,15 grados C/W. El módulo de potencia dispone de clasificación para temperaturas de unión de hasta 175 grados centígrados, y el IPM soporta voltajes de aislamiento de hasta 3.600 V (50 Hz, 1 min).

Módulos de potencia inteligente MOSFET

El controlador de puerta incorporado incluye tres fuentes de alimentación aisladas (una por cada fase) que suministran cada una hasta 5 W, lo que permite controlar fácilmente el módulo de alimentación hasta 25 KHz y a temperaturas ambiente de hasta 125 grados.

La corriente máxima de la puerta llega hasta los 10 A, y la inmunidad a dV/dt alto (superior a 50 KV/µs) permiten una conmutación rápida del módulo de potencia y bajas pérdidas de conmutación. Las funciones de protección, tales como el bloqueo de subtensión (UVLO), el bloqueo activo de Miller (AMC), y la detección de desaturación y el apagado suave (SSD) garantizan la unidad segura y el funcionamiento fiable del módulo de potencia en caso de que haya fallos.

En prensa escrita, especialmente online, ha tenido experiencia propia editando y dirigiendo su propio medio, y desde hace unos años trabaja como colaborador freelance para varias publicaciones técnicas.

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