Inicio Componentes activos Módulo de transistores IGBT

Módulo de transistores IGBT

1344
0

Con una mayor densidad de potencia que las generaciones precedentes, este módulo de transistores IGBT presentan también pérdidas estáticas inferiores.

La germana Infineon, especializada en soluciones en el sector de los semiconductores, anuncia la adición de un modelo de 1.200 V a su línea de módulos Easy TRENCHSTOP IGBT.

El IGBT7 de 1.200 V es un módulo de transistores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) que permite a la marca alemana completar el catálogo Easy 1B y 2B, con el cual ofrece soluciones de potencia que llegan hasta los 11 kW en topología PIM, y hasta los 22 kW en topología six-pack, gracias al empleo que la compañía ha hecho de las últimas tecnologías de chips.

Los clientes pueden elegir entre incrementar la potencia para el módulo Easy 2B mediante el reemplazo de la tecnología IGBT4 de la misma Infineon, con la nueva IGBT7, o bien reducir la huella manteniendo la misma potencia mediante el reemplazo del Easy 2B IGBT4 por el Easy 1B IGBT7 en casos específicos.

De la misma forma que los módulos Easy TRENCHSTOP IGBT7 que fueron previamente lanzados, estos nuevos permiten perfectamente encajar en las necesidades de diseño de controladores industriales.

Comparado con las generaciones previas, el chip TRENCHSTOP IGBT7 proporciona una mayor densidad de potencia, reduce significativamente las pérdidas, y ofrece un alto nivel de controlabilidad para aplicaciones de control.

Tecnología incorporada en los módulos

Todos los módulos equipados con esta nueva tecnología de chip han sido diseñados para ser retro compatibles en cuanto a distribución y disposición de pines con las generaciones precedentes de módulos TRENCHSTOP IGBT4. Gracias a esto, los fabricantes que integren estos productos en sus creaciones podrán reducir el tiempo destinado al ciclo de diseño para cualquier nueva plataforma de inversor.

Basándose en la nueva tecnología de ‘trincheras’ de micropatrones, los chips TRENCHSTOP IGBT7 presentan pérdidas estáticas muy inferiores si los comparamos con los chips IGBT4, con el voltaje de estado de funcionamiento reducido en un 20%.

Módulo de transistores IGBT

Esto proporciona una reducción significativa en la aplicación, especialmente en los motores industriales, que operan habitualmente a frecuencias de conmutación moderadas. Estos módulos de potencia cuentan con una temperatura de unión de sobrecarga máxima permitida de 175 grados centígrados y, además, se diseñaron para una conmutación más suave.

Ya se encuentran disponibles para su adquisición, con variantes de pines soldados y TIM para complementar la oferta.

Para finalizar, este tipo de módulo de transistores IGBT ya está disponible en los distribuidores autorizados Digi-Key Electronics y Mouser Electronics.

Dejar una respuesta

Please enter your comment!
Please enter your name here

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.