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Memorias ultrarrápidas para supercomputación

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Con una velocidad de transferencia de datos sin precedentes, estas memorias ultrarrápidas para supercomputación y tarjetas gráficas dotan de mayor rendimiento a los sistemas en los cuales van montadas.

Memorias ultrarrápidas para supercomputaciónSamsung Electronics ha anunciado el comienzo de la producción masiva de la segunda generación de su HBM2 (High Bandwidth Memory-2) de 8 GB, que pasa por ser -según afirman desde la multinacional surcoreana- la que tiene una mayor velocidad de transmisión de datos del mercado a día de hoy.

La nueva solución Aquabolt es la primera HBM2 de la industria en proporcionar una velocidad de transferencia de datos por pin de 2,4 Gigabits por segundo. Con ello, Samsung espera que esta memoria acelere la expansión de la supercomputación y el mercado de las tarjetas gráficas.

Estas nuevas memorias ultrarrápidas para supercomputación y tarjetas gráficas de Samsung entregan un altísimo nivel de rendimiento DRAM, disponiendo de velocidad de pin de 2,4 Gbps a 1,2 V, lo cual se traduce en una mejora del rendimiento cercana al 50% para cada encapsulado, si lo comparamos con la primera generación de encapsulados HBM2 de 8 GB de la misma compañía, la cual disponía de una velocidad de pin de 1,6 Gbps a 1,2 V, y de 2 Gbps a 1,35 V.

Con estas mejoras, un solo encapsulado de estas memorias ofrecerá un ancho de banda para datos de 307 Gbps, funcionando a una escala x9,6 veces más rápido en la transmisión de datos que un chip GDDR5 de 8 Gb, el cual proporciona un ancho de banda para datos de 32 Gbps.

Si utilizamos cuatro de estos nuevos encapsulados en un mismo sistema, esto permitirá un ancho de banda de 1,2 Terabytes por segundo, con lo cual mejoraremos el rendimiento global del sistema sobre un 50% en comparación con un sistema que utilice una memoria HBM2 a 1,6 Gbps.

Tecnología en las memorias ultrarrápidas para supercomputación

Para conseguir este extraordinario rendimiento, Samsung ha aplicado nuevas tecnologías relativas al diseño TSV y al control térmico. Un solo encapsulado HBM2 de 8 GB consiste en otro dies HBM2 de 8 GB interconectadas verticalmente y que utilizan sobre 5.000 TSVs (Through Silicon Via’s) por die.

Si bien el uso de tantos TSV puede causar un sesgo en el reloj colateral, Samsung ha conseguido minimizar dicho sesgo a un nivel muy modesto y mejorar significativamente el rendimiento del chip durante tal proceso.

Además, la fabricante surcoreana ha incrementado también el número de golpes térmicos entre las matrices HBM2, lo que permite un control térmico más fuerte en cada encapsulado. El nuevo HBM2 incluye una capa protectora adicional en la parte inferior, que aumenta la resistencia física general de las unidades.

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