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Memorias PSRAM CMOS de alta velocidad de 8 a 128 Mb

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Memorias PSRAM CMOS de alta velocidad de 8 a 128 Mb con encapsulados FPBGA de 48-ball y 49-ball se dirigen a aplicaciones de elevado ancho de banda y bajo consumo.

Alliance Memory ha introducido una nueva familia de pseudo SRAM (PSRAM) CMOS de alta velocidad con densidades de 8 a 128 Mb en encapsulados FPBGA 48-ball (6 x 7 x 1 mm) y FPBGA 49-ball (4 x 4.x 1 mm).

Estos dispositivos combinan las principales funciones de SRAM y DRAM para ofrecer a los diseñadores unas soluciones de memoria fáciles de usar, eficientes y asequibles en aplicaciones inalámbricas, automoción, networking y entornos industriales.

Caracterizándose por núcleos DRAM de alta densidad con interfaces SRAM y circuitos de refresco on-chip, estas memorias PSRAM CMOS satisfacen las necesidades de elevado ancho de banda y bajo consumo para poder reemplazar a SRAM en electrónica portátil, como teléfonos móviles y PDA, y servir como chips “compañeros” en aplicaciones NOR Flash.

Las características de ahorro de consumo incluyen auto temperature-compensated self-refresh (ATCSR), partial array self-refresh (PASR) y modo deep power down (DPD).

Características de las nuevas memorias PSRAM CMOS

Memorias PSRAM CMOS de alta velocidad de 8 a 128 MbPara empezar, las interfaces de los modelos AS1C1M16PL-70BIN (16 Mb), AS1C1M16P-70BIN (16 Mb), AS1C2M16P-70BIN (32 Mb), AS1C512K16PL-70BIN (8 Mb) y AS1C512K16P-70BIN (8 Mb) son compatibles con SRAM de tipo asíncrono.

Y, mientras, las PSRAM CellularRAM AS1C4M16PL-70BIN (64 Mb) y AS1C8M16PL-70BIN (128 Mb), por su parte, se distinguen por un bus de datos de direcciones / datos multiplexados para aumentar el ancho de banda.

Todas las novedades soportan operación asíncrona y burst y se caracterizan por longitudes de burst de lectura o escritura de 4, 8, 16 o 32 palabras o burst continuo.

Disponibles en rangos de temperatura industrial (de -30 a +85 °C y de -40 a +85 °C), estas PSRAM operan desde una tensión de alimentación de 1,7 a 1.95 V o de 2,6 a 3,3 V.

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