Inicio Alliance Memory Memorias CMOS DDR4 SDRAM de 8 GB

Memorias CMOS DDR4 SDRAM de 8 GB

2527
0

Las nuevas memorias CMOS DDR4 SDRAM de 8 GB incrementan la eficiencia y el rendimiento al combinar un consumo de 1,2 V y rapidez de transferencia de datos a 2666 Mbps/pin.

Alliance Memory anuncia la ampliación de su catálogo de CMOS DDR4 SDRAM de alta densidad con dos nuevos dispositivos de 8 Gb. Dotando de mejoras con respecto a las memorias DDR3 SDRAM de la anterior generación, las unidades AS4C1G8D4 y AS4C512M16D4 ofrecen menor consumo de energía y mayor rapidez de transferencia de datos en encapsulados FBGA de 78-ball y 96-ball, respectivamente.

Y, en comparación con las DDR3 SDRAM, las nuevas memorias CMOS DDR4 SDRAM reducen las tensiones operativas de 1,65 V a +1,2 V (±0,06 V) con la misión de aumentar la vida de la batería en electrónica portátil, como teléfonos móviles y tabletas.

Para mejorar la eficiencia y el rendimiento en diseños 5G, ordenadores de sobremesa y servidores, el AS4C1G8D4 (1 GB x 8 bits) y el AS4C512M16D4 (512 Mb x 16 bits) proporcionan hasta dieciséis bancos de memoria y alcanzan velocidades de reloj de 1333 MHz para ratios de transferencia extremadamente altos a 2666 Mbps/pin.

Por esto, con una reducción del die, dichas memorias DDR4 SDRAM permiten un reemplazo compatible pin a pin con numerosas soluciones similares, eliminando la necesidad de rediseños costosos y recalificaciones de los componentes.

Disponibles en rangos de temperatura comercial (de 0 a +95 °) e industrial (de -40 a +95 °C), los dos nuevos dispositivos resultan ideales en entornos industriales, networking, IoT, automoción, juego y consumo.

Además, las unidades AS4C1G8D4 y AS4C512M16D4 soportan tipos burst secuencial y entrelazado con longitudes burst de lectura o escritura de BL8/BC4/BC4 o 8 on the fly. Las funciones de “precarga automática” y “refresco” completan las características de estos modelos libres de plomo y halógenos.

Modelos disponibles de memorias CMOS DDR4 SDRAM

Memorias CMOS DDR4 SDRAM de 8 GB
  • AS4C1G8D4-75BCN: 8 Gb, 1 Gb x 8, FBGA 78-ball y rango de 0 a +95 °C
  • AS4C1G8D4-75BIN: 8 Gb, 1 Gb x 8, FBGA 78-ball y rango de -40 a +95 °C
  • AS4C512M16D4-75BCN: 8 Gb, 512 Mb x 16, FBGA 96-ball y rango de 0 a +95 °C
  • AS4C512M16D4-75BIN: 8 Gb, 512 Mb x 16, FBGA 96-ball y rango de -40 a +95 °C

SERVICIO AL LECTOR gratuito para ampliar info de este producto


DEJA UNA RESPUESTA

Por favor ingrese su comentario!
Por favor ingrese su nombre aquí

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.