Indicada para su uso en aplicaciones de alta fiabilidad en los campos automotriz y de maquinaria industrial, la memoria no volátil FRAM de 4 Mbit MB85RS4MTY aguanta entornos operativos sujetos a altas temperaturas.
La división de soluciones de semiconductores de memoria de la multinacional japonesa Fujitsu Semiconductor anuncia el inicio de la producción masiva de la FRAM MB85RS4MTY de 4 Mbit, la cual ha sido certificada para su uso en entornos operativos que aguanten una temperatura de hasta 125 grados centígrados.
Con certificación AEC-Q100 de grado 1, las memorias no volátiles MB85RS4MTY son útiles para aplicaciones del sector automotriz, además de la maquinaria industrial.
Presentan una configuración de densidad de 512 K por ocho bits, lo que da los 4 Mbits, en un encapsulado DFN de ocho pines con una interfaz SPI (Serial Peripheral Interface). Su vida operativa se alarga hasta diez billones de operaciones de lectura/escritura.
Su frecuencia operativa es de un máximo de 50 MHz, con un voltaje operativo de entre 1,8 y 3,6 V, y si antes hemos mencionado que soporta temperaturas operativas de un máximo de +125 grados centígrados, el mínimo que soporta la memoria FRAM de 4 Mbit MB85RS4MTY es de -40 grados.
Tecnología propietaria para avanzar
Además, la tecnología FRAM que utiliza ha estado siendo producida por más de dos décadas hasta ahora, resolviendo problemas que presentan las tecnologías EEPROM y SRAM en aplicaciones de alta fiabilidad.
Con una operativa a 50 MHz, requiere de solamente 4 mA de energía para operaciones de escritura.
Entre las aplicaciones para las cuales son aptas, encontramos los sistemas de asistencia avanzada al conductor (ADAS) entre otras aplicaciones para el automóvil, o los robots industriales.
Más detalles en la página web del producto.
