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Memorias Flash embebidas UFS 3.0

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Las nuevas memorias Flash embebidas UFS 3.0 respaldan las mejoras de rendimiento de teléfonos inteligentes, tabletas y soluciones de realidad aumentada y virtual.

Toshiba Memory America, filial de Toshiba Memory Corporation, comienza el suministro de muestras de los primeros dispositivos de memoria Flash embebida Universal Flash Storage (UFS) Ver. 3.0.

La nueva línea utiliza la memoria 96-layer BiCS FLASH 3D y se presenta en tres capacidades (128, 256 y 512 GB).

Además, con lectura / escritura de alta velocidad y bajo consumo de energía, estos dispositivos de memoria resultan ideales en teléfonos móviles, tabletas y sistemas de realidad aumentada y virtual.

Los clientes continúan demandando mejoras de rendimiento y experiencia de uso en sus terminales y el estándar UFS se está redefiniendo para respaldar esta evolución. Con la introducción de UFS 3.0, JEDEC, el líder global en el desarrollo de estándares para la industria de la microelectrónica, ha actualizado versiones previas del UFS con la misión de ayudar a los diseñadores de producto a aumentar las prestaciones de dispositivos móviles y aplicaciones similares.

“Por esto, y como la primera compañía en ofrecer memorias Flash UFS en 2013, Toshiba Memory Corporation vuelve a demostrar que está a la vanguardia de la tecnología de almacenamiento para dispositivos móviles de próxima generación”, señala Scott Beekman, Director de Productos de Memoria Flash de Toshiba Memory America, Inc.

Otras propiedades de las memorias Flash embebidas UFS 3.0

Memorias Flash embebidas UFS 3.0Los nuevos dispositivos integran memoria 96-layer BiCS FLASH 3D y un controlador en un encapsulado 11,5 x 13 mm JEDEC. El controlador realiza funciones de corrección de error, wear leveling, conversión de dirección lógica a física y administración bad-block para simplificar el desarrollo de sistema.

Las tres versiones son compatibles con JEDEC UFS Ver. 3.0, incluyendo HS-GEAR4, que tiene una velocidad de interfaz teórica de hasta 11,6 Gbps por carril (dos carriles: 23,2 Gbps) y, al mismo tiempo, soporta funciones que evitan el aumento del consumo de energía.

Por ejemplo, el rendimiento de lectura y escritura secuencial del modelo de 512 GB ha mejorado entre el 70 y el 80 por ciento con respecto a dispositivos de la generación previa.

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