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Memorias DRAM de 16 Gb en 10 nm

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Nuevas memorias DRAM de 16 Gb en 10 nm LPDDR4X para automóviles que ofrecen elevada resistencia térmica con temperatura operativa de hasta +125 °C.

Samsung Electronics ha comenzado la producción de DRAM LPDDR4X de 16 Gb y 10 nm para uso en automóviles, que ofrece mejoras en rendimiento, eficiencia y resistencia térmica en entornos adversos con respecto a alternativas anteriores.

Memorias DRAM de 16 Gb en 10 nmLa DRAM de 10 nm permite crear la interfaz LPDDR4X “más rápida y con mayor densidad del sector de la automoción”.

Dando un paso más allá de la DRAM ‘Automotive Grade 2’ de clase 20 nm, que puede soportar temperaturas de -40 a +105 °C, la LPDDR4X de 16 Gb de Samsung es compatible con el ‘Automotive Grade 1’ y puede operar a +125 °C, superando así los estrictos test de ciclos térmicos de los fabricantes de coches.

Al aumentar la fiabilidad con temperaturas elevadas, la producción de nodo avanzado de clase 10 nm resulta esencial para posibilitar una LPDDR4X de 16 Gb y optimizar el rendimiento y la eficiencia. Incluso a +125 °C, su velocidad de procesamiento de datos alcanza 4.266 Mbps, un 14 por ciento más que la DRAM LPDDR4 de 8 Gb con tecnología de proceso de 20 nm. También consigue una mejora del 30 por ciento en eficiencia.

Complementos a las memorias DRAM de 16 Gb en 10 nm

Junto al controlador embedded Universal Flash Storage (eUFS) de 256 GB, anunciado el pasado mes de febrero, el fabricante ha ampliado su oferta de soluciones de memoria para aplicaciones en automóviles con DRAM LPDDR4X de 16 Gb y 10 nm, comercialmente disponible en capacidades de 12, 16, 24 y 32 Gb.

Samsung también tiene previsto seguir colaborando con empresas de la industria del automóvil para fomentar la llegada de nuevas soluciones para sistemas de asistencia al conductor (ADAS), info entretenimiento, gateways y coche autónomo.

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