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Memorias de 1 GB con tecnología pMTJ STT-MRAM

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Micross Components, empresa representada en España y Portugal por Anatronic, anuncia su nueva memoria MRAM de 1 GB, 32M x 32, en formato CLGA/CBGA, y que se basa en la tecnología pMTJ STT-MRAM de 22 nm de Avalanche Technology.

Así, dichos componentes STT MRAM de 1 GB con encapsulado cerámico hermético de grado espacial proporciona un verdadero acceso de lectura y escritura aleatorio en el array de memoria, con el beneficio añadido de ser altamente resistente al flujo magnético, eliminado así la necesidad de un apantallado adicional.

Esta arquitectura de MRAM es análoga a la tecnología Flash con una interfaz de lectura/escritura compatible con SRAM con una función de modo de página asincrónica.

Características y ventajas de las nuevas memorias

En principio, los dispositivos “Perpendicular Spin-Torque MRAM” aportan una mayor protección en entornos adversos y el mejor perfil de potencia de todas las memorias no volátiles, convirtiéndose en una opción óptima para proyectos espaciales y aeroespaciales.

Por otro lado, esta memoria MRAM de 1 GB, 32M x 32 es la última incorporación a la nueva familia de MRAM de Micross. Se encuentra disponible con una calificación “Space & Military QML” y dos variantes de encapsulado hermético de 18 x 20 mm (CLGA & CBGA en definiciones de 142 pad/solder-ball) en RAD-HARD, RAD-Tolerant y Non-Radiation.

Además, ofrece una resistencia casi infinita con una retención de datos de más de diez años en el rango de temperatura de -40 a +125 °C y con una tensión de 2,7-3,6 V. El tiempo de acceso mínimo garantizado se sitúa en 45 ns en este rango de temperatura militar.

Con dicha memoria, la representada de Anatronic y Avalanche colaboran para responder a la creciente demanda de soluciones de memoria más compactas y eficientes en dispositivos STT-MRAM basados en la mejor tecnología de memoria no volátil de su clase.

Memorias de 1 GB con tecnología pMTJ STT-MRAM

Enlaces de interés para nuestros lectores

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