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Memoria FRAM de 8 Mbit

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Fujitsu Semiconductor ha desarrollado el modelo MB85R8M2T, una memoria FRAM de 8 Mbit de acceso aleatorio ferroeléctrica con la máxima densidad en el catálogo de la compañía: 8 Mbit (512K x 16 bit).

Memoria FRAM de 8 Mbit Estas memorias FRAM se distinguen por un amplio rango de tensión de alimentación de 1.8 a 3.6 V y una interfaz paralela compatible con SRAM. El MB85R8M2T ha sido diseñado para cumplir los requisitos de los clientes que producen maquinaria industrial y desean contar con mayor densidad que las memorias FRAM de 4 Mbit o eliminar la necesidad de una batería para una SRAM, cuyo uso corresponde al backup de datos durante un apagón.

Al reemplazar un dispositivo SRAM con esta nueva memoria FRAM de 8 Mbit en diversas aplicaciones industriales, como unidades de control en factorías y robótica, es posible ahorrar hasta un 90 por ciento del área de montaje para los componentes de memoria. Por lo tanto, ayuda a minimizar los costes.

También elimina los gastos asociados con baterías de reemplazo y otros elementos de mantenimiento. La consecuencia en una reducción en los costes de desarrollo y operación.

El MB85R8M2T se suministra en un encapsulado FBGA de 48 pines con un pequeño formato de 8 x 6 mm, diseñado según los requisitos de los clientes. Si alguien está usando SRAM en un encapsulado TSOP de 44 pines, junto a una batería de backup, el ahorro de espacio será considerable.

Las principales características se completan con capacidad de lectura / escritura de 10.000 billones de veces (1013 veces) y rango de temperatura operativa de -40 a +85 °C.

Funcionamiento de la memoria FRAM de 8 Mbit

Las memorias FRAM emplean un archivo ferroeléctrico como condensador que almacena los datos y retienen la información incluso cuando no hay alimentación. Combinan los beneficios de ROM y RAM, con rapidez de escritura, bajo consumo y alta capacidad de ciclos de lectura / escritura. También conocidas como FeRAM, Fujitsu Semiconductor las fabrica desde 1999.

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