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INS1001DE controlador para HEMT GaN de alta potencia

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El CI controlador INS1001DE permite crear diseños robustos de elevada frecuencia para fuentes de alimentación.

Innoscience Technology, compañía fundada para crear un ecosistema de energía global basado en soluciones de alimentación de nitruro de galio en silicio (GaN-on-Si), anuncia el modelo INS1001DE, un circuito integrado (CI) controlador que está diseñado para conducir HEMT GaN de un canal en aplicaciones lowside, highside o de lado secundario.

Min Chen, Vicepresidente de Diseño de Circuitos Integrados (CI) de Innoscience, destaca que “el INS1001DE está especialmente indicado para optimizar el rendimiento de los HEMT GaN e-mode y, en particular, nuestro InnoGaN e-mode. La combinación de capacidad de conducción y retardo de propagación rápido, así como una reducción del ruido de entrada y las funciones de protección integradas (UVLO, OVP y OTP), hace que la nueva solución sea idónea en aplicaciones GaN de alta potencia y elevada frecuencia”.

Así, el nuevo controlador de puerta posee dos entradas PWM noninverting e inverting que respaldan una operación flexible con controlador, optoacoplador y aislador digital. Las salidas pullup y pulldown facilitan la gestión de las velocidades de encendido y apagado. También integra un LDO de 5 V para alimentar al aislador digital u otra circuitería en aplicaciones highside.

Con un rango de tensión de 6 a 20 V y una resistencia pullup de 1,3 Ω y pulldown de 0,5 Ω, el INS1001DE se encuentra disponible en un encapsulado DFN3x3-10L con mejoras térmicas.

Aplicaciones

INS1001DE controlador para HEMT GaN de alta potencia

En principio, las aplicaciones incluyen fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores CA/CC y CC/CC, convertidores Boost, Flyback, Forward, HalfBridge y FullBridge, circuitos de rectificación, inversores solares, control de motor y sistemas de alimentación inintrrumpida (SAI).

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