Inicio Componentes activos Diodos Schottky de barrera

Diodos Schottky de barrera

311
0

La tercera generación de diodos Schottky de barrera muestran una estabilidad óptima y eficiencia de energía para aplicaciones de alta potencia, mejorando el rendimiento y la fiabilidad del producto final.

Diodos Schottky de barreraMouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada ROHM Semiconductor saca a la luz su tercera generación de diodos Schottky de barrera (Schottky Barrier Diodes) para un rendimiento mejorado.

Desarrollando continuamente su cartera de productos en base a sus completas capacidades propias de fabricación, el fabricante presenta el primer diodo de su clase de 650 V a 6, 8 o 10 A que se suministra en un encapsulado TO220AC.

Los nuevos diodos Schottky de barrera dan cuenta del más bajo VR y menor IR dentro de todo el rango de temperatura entre todos los SBDs SiC disponibles en el mercado. Además de esto, disponen de capacidad de alta corriente de sobretensión, adecuado para aplicaciones de fuente de alimentación.

y, por si fuera poco, los nuevos diodos SiC exhiben características de temperatura estable y tiempo de recuperación inversa ultra corto en comparación con los dispositivos basados en silicio, que básicamente los hacen ideales para la conmutación de alta velocidad. Indicando una baja tensión directa extremadamente estable a altas temperaturas, los SBDs SiC también garantizan corriente inversa mínima.

En comparación con la estructura única SBD de la segunda generación, esta tercera generación contiene la estructura de unión PN junto con barrera Schottky, lo que asegura la durabilidad en funcionamiento bipolar.

En general, estas características de los diodos Schottky de barrera contribuyen a la tendencia en curso de alta eficiencia, alta densidad de potencia y diseños muy robustos.

Características técnicas importantes en los diodos Schottky de barrera

(Propiedades para el modelo de 650 V / 10 A nominal).

  • VF @ 10A (25 °): tip. 1.35 V
  • VF @ 10A (150 °): tip. 1.44 V
  • IR (25 °): tip. 0.03 μA @ 650 V
  • Máxima temperatura de trabajo a +175°
  • IFSM 50Hz, 1 pulso: 82 A.

DEJA UNA RESPUESTA

Please enter your comment!
Please enter your name here

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.