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IGBTs para bajas frecuencias de conmutación

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IGBTs para bajas frecuencias de conmutación

Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada Infineon Technologies ha introducido una nueva clase de IGBTs para bajas frecuencias de conmutación V CE(sat) con tensión de baja saturación para frecuencias de conmutación de 50 Hz a 20 kHz, normalmente encontradas en sistema de alimentación ininterrumpida (SAI) e inversores de sistemas fotovoltaicos y equipos de soldadura.

La nueva familia L5 de IGBTs para bajas frecuencias de conmutación se basa en la tecnología de oblea delgada TRENCHSTOP 5, con una mayor reducción de pérdidas de conducción, para aportar mejoras en fiabilidad, eficiencia y formato.

Con un valor V CE(sat) típico a +25 °C de 1.05 V, es posible alcanzar nuevos niveles de rendimiento: mejora de eficiencia de hasta 0.1 por ciento en una topología NPC 1 o hasta 0.3 por ciento en NPC 2.

Junto al coeficiente de temperatura positivo de V CE(sat), la eficiencia de los nuevos IGBTs para bajas frecuencias de conmutación se mantiene con frecuencias de conmutación por debajo de 20 kHz.

Formatos de IGBTs para bajas frecuencias de conmutación

Los primeros modelos de la gana L5 utilizan un encapsulado TO-247 de 3 pines. Y, para aquellas aplicaciones que demandan la máxima eficiencia, Infineon también ofrece un encapsulado TO-247 Kelvin-Emitter de 4 pines.

La familia L5 está disponible con clases de corriente de 30 y 75 A como IGBT y dispone de diodos de silicio Rapid 1 y Rapid 2. El encapsulado TO-247 Kelvin-Emitter cuenta con 75 A.