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IGBT de 1350 V mejorado

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El IGBT de 1350 V mejorado ofrece flexibilidad de diseño y menos pérdidas en aplicaciones de potencia para electrodomésticos basadas en resonancia.

Toshiba Electronics Europe anuncia un nuevo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) discreto de 1350 V para su uso en aplicaciones de electrodomésticos basadas en resonancia que utilicen calentamiento por inducción, como placas de cocina, arroceras y hornos microondas.

El nuevo IGBT de 1350 V GT20N135SRA se caracteriza por una tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)) de 1,60 V (típica) y una tensión directa del diodo (VF) de 1,75 V, que equivalen a una reducción cercana al 10% y el 21%, respectivamente, si se comparan con los productos convencionales.

Dado que tanto el IGBT como el diodo han mejorado sus pérdidas en conducción a alta temperatura (TC=100 ℃), el dispositivo funcionará de manera más eficiente.

Además, su mejor resistencia térmica máxima entre la unión y el encapsulado (Rth(j-c)) de 0,48 ℃/W facilita el diseño térmico ya que requiere menos disipación del calor al representar una reducción aproximada del 26% respecto a los productos existentes.

Beneficios para el diseño con el nuevo IGBT

El nuevo GT20N135SRA puede suprimir la corriente de cortocircuito que atraviesa un condensador resonante y que se genera al conectar el dispositivo. La corriente de pico de cortocircuito del nuevo producto es de 129 A, casi un tercio más baja que los productos existentes, con el beneficio en el diseño que esto conlleva.

IGBT de 1350 V mejorado

El área de operación segura (Safe Operating Area, SOA) es mayor y ello significa que es menor probable que el IGBT sufra una ruptura, ofreciendo así a los diseñadores un grado mucho mayor de flexibilidad.

El dispositivo, que se suministra en un encapsulado TO-247 estándar, es capaz de manejar una corriente máxima de colector (IC) de 40 A, que se reduce hasta 20 A a 100 °C.

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