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G2R1000MT33J MOSFET SiC de 3300 V

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Los MOSFET SiC G2R1000MT33J garantizan la robustez y la fiabilidad de sistema en muy diversas aplicaciones.

GeneSiC Semiconductor anuncia nuevos MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 3300 V que ofrecen una conmutación rápida y eficiente con ringing reducido en un encapsulado optimizado (TO-263-7) con un pin de fuente de controlador separado.

Estos MOSFET SiC de 3300 V, 1000 mΩ y 3 A se diseñaron para garantizar su compatibilidad con controladores de puerta comerciales y proporcionar facilidad de paralelo sin una fuga térmica.

Los nuevos modelos G2R1000MT33J también se distingue por mínimas pérdidas de conmutación en todo el rango de temperatura operativa (de -55 a +175 °C), dotando de mejoras en robustez y fiabilidad de sistema.

Estos diseños LoRing, que están optimizados electromagnéticamente, ofrecen menores valores de RG(INT) y QG, baja capacitancia de dispositivo (COSS CRSS) y protección ante cortocircuito.

G2R1000MT33J MOSFET SiC de 3300 V

Las aplicaciones abarcan sistemas de tracción, inversores de paneles solares, cargadores rápidos de vehículos eléctricos, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), almacenamiento de energía y transformadores y disyuntores de estado sólido.

Existe más información de los MOSFET SiC de 3300 V en este enlace.

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