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Diodos y transistores en SOT23 a +175 °C

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Certificados para poder ser empleados en aplicaciones de la industria automotriz, estos diodos y transistores en un encapsulado SOT23 presentan una mayor potencia de disipación que los componentes básicos certificados para trabajar hasta los +175 °C.

Nexperia, experta en componentes MOSFET y discretos, así como en circuitos integrados lógicos, anuncia los primeros diodos que soportan +175 °C y transistores en un encapsulado SOT23.

Gracias a ello, Nexperia es capaz de ofrecer un producto con capacidad para ser empleado en aplicaciones de alta temperatura que cumplan con la normativa AEC-Q101.

Los diodos y transistores en un encapsulado SOT23 capacitados para operar a +175 grados centígrados constituyen una parte principal del catálogo de componentes de la marca, concretamente de transistores de propósito general y diodos de switching.

Para esto, los dispositivos SOT23 que pueden funcionar a +175 °C presentan un Ptot (potencia total de disipación) un 25% mayor que los componentes básicos certificados para trabajar hasta 150 grados centígrados.

Ello permite a los clientes realizar diseños de alta temperatura para su uso en aplicaciones que deben funcionar bajo el capó, incluyendo entre ellas las cajas de engranajes, y las unidades de motor, así como la iluminación por LED entre otros usos industriales.

La certificación AEC-Q101 permite que estos componentes puedan ser utilizados en proyectos relativos a la industria automotriz.

Con ellos, Nexperia se encuentra más cerca de completar su catálogo de diodos y transistores con capacidad para resistir temperaturas operativas de hasta 175 grados centígrados, con los cuales ahora cubre todas las clases de rendimiento hasta los 15 A.

Formatos posibles con el encapsulado SOT23

Diodos y transistores en SOT23 a +175 °C

Inicialmente, esta familia de dispositivos se encuentra disponible en encapsulados que van desde los DFN sin plomo, hasta los SMD que sí contienen plomo, o los encapsulados CFP (clipbond FlatPower) y LFPAK.

Así, los nuevos desarrollos son los diodos de switching de alta velocidad BAS16TH y BAS21TH (ambos de 2,9×1,3×1 mm), y las series de transistores de propósito general BC807H (consistente en los ejemplares BC807-16H, BC807-25H y BC807-40H), y BC817KH (BC817K-16H, BC817K-25H y BC817K-40H).

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