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Diodos SiC PSC1065x

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Preparados para su uso en aplicaciones de tipo industrial, los nuevos diodos SiC PSC1065x también disponen de certificación para el sector automotriz.

Nexperia, compañía holandesa especializada en la producción de grandes volúmenes de componentes y semiconductores esenciales tales como diodos, transistores bipolares, protecciones ESD, MOSFETs, FETs GaN, etc., anuncia la expansión de su oferta de semiconductores con la nueva família PSC1065x de diodos de carburo de silicio (SiC, por sus siglas en inglés).

Con ellos, y en palabras de la misma compañía, Nexperia realiza un movimiento estratégico para expandir su oferta de semiconductores de alto voltaje.

Son diodos de tipo Schottky de grado industrial con VRRM (pico repetitivo de voltaje inverso) 650 V, y 10 A de corriente continua directa (IF), diseñado para combinar un rendimiento ultra alto y alta eficiencia con una baja pérdida energética en aplicaciones de conversión de potencia.

Presentan una recuperación cero tanto hacia adelante como inverso, un rendimiento de conmutación independiente de la temperatura, mayor capacidad IFSM, menor pérdida de corriente, un rendimiento de conmutación rápido y fluido, un fácil coeficiente de temperatura positivo/paralelo, y estabilidad térmica de temperatura de unión de 175 grados centígrados.

También disfrutan de calificación AEC-Q101, lo cual nos permite utilizarlos en las aplicaciones del sector automotriz.

Además, la fabricante tiene planes para lanzar dispositivos de grado automotriz que puedan utilizarse para aplicaciones de electrificación de vehículos tales como cargadores a bordo (OBC, por sus siglas en inglés), inversores, y conversores CC-CC de alto voltaje.

Ventajas y beneficios

Entre otros beneficios que aportan encontramos la miniaturización del sistema resultante, una EMI reducida, que pueden operar a altas temperaturas, y que mejoran su resistencia.

Diodos SiC PSC1065x

Los nuevos diodos SiC PSC1065x de Nexperia proporcionan un beneficio añadido con su encapsulado R2P (real 2-pin) que cumple con alto voltaje y que presenta una mayor distancia de crimpado, además de que se encuentra disponible para una variedad de dispositivos de montaje en superficie (DPAK R2P y D2PAK R2P), o a través de agujero (TO-220-2, TO-247-2).

Nexperia publica, en su sitio web, toda la información técnica sobre estos nuevos diodos.

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