El MLX200 es un SoC de computación analógica en memoria basado en RRAM multinivel de 22 nm para cargas de IA con menor movimiento de datos.
El nuevo MLX200 de TetraMem es un SoC, o sistema en chip, de computación analógica en memoria basado en RRAM, memoria resistiva de acceso aleatorio, fabricado sobre un proceso comercial CMOS, semiconductor complementario de óxido metálico, de 22 nm.
La plataforma marca un avance técnico en arquitecturas IMC, del inglés in-memory computing o computación en memoria, al ejecutar operaciones directamente dentro de matrices de memoria no volátil y reducir así la transferencia constante de datos entre memoria y unidades de proceso.
En concreto, el diseño integra matrices RRAM multinivel con motores de cálculo de señal mixta para realizar operaciones vector-matriz de alto rendimiento dentro de la propia estructura de memoria.
Además, la compatibilidad con procesos CMOS avanzados facilita la aproximación de esta tecnología a circuitos integrados orientados a inteligencia artificial, especialmente cuando el consumo, la latencia y la disipación térmica condicionan el diseño electrónico.
Arquitectura MLX200 para cálculo en memoria no volátil
La arquitectura del MLX200 combina almacenamiento no volátil y cálculo analógico para abordar el cuello de botella asociado al movimiento de datos en cargas de IA, inteligencia artificial, cada vez más intensivas.
Por otro lado, el uso de RRAM multinivel permite representar varios estados de conductancia por celda, lo que incrementa la densidad funcional frente a aproximaciones binarias tradicionales.
Los primeros resultados de silicio indican funcionalidad consistente entre matrices, por tanto refuerzan la viabilidad del enfoque tanto para memoria no volátil embebida como para aplicaciones de cálculo dentro de memoria.
La tecnología demostrada en el nodo de 22 nm incorpora funcionamiento de baja tensión y baja corriente, retención robusta, resistencia a ciclos de operación y una integración con complejidad de proceso limitada.
RRAM multinivel de 22 nm para electrónica de IA en el borde
El desarrollo continúa el trabajo previo realizado en la plataforma MX100, fabricada en CMOS de 65 nm, donde se validaron dispositivos RRAM con miles de niveles de conductancia y programación de alta precisión para cálculo analógico.
Asimismo, el salto a 22 nm apunta a una mayor proximidad entre investigación de dispositivos memristivos y silicio comercial aplicable a diseños electrónicos avanzados.
Desde el punto de vista de integración en PCB y sistemas compactos, una plataforma de este tipo puede simplificar arquitecturas donde la memoria externa, los buses de datos y la alimentación limitan el presupuesto energético disponible.
Entre las aplicaciones previstas figuran procesamiento de voz y audio, dispositivos wearables, sistemas IoT, internet de las cosas, sensado siempre activo y nodos de IA en el borde con requisitos estrictos de latencia.
Kits de evaluación y propiedad intelectual RRAM
La hoja de ruta contempla el envío de EVK, kits de evaluación, en la segunda mitad de 2026 para facilitar las primeras pruebas de la plataforma en entornos de desarrollo electrónico.
También se contempla la disponibilidad de IP de memoria RRAM multinivel, propiedad intelectual de memoria, para evaluación e integración potencial en diseños de semiconductores orientados a cálculo eficiente.
En consecuencia, el MLX200 se posiciona como una referencia técnica para explorar SoC donde memoria, cómputo analógico y señal mixta convergen en una misma arquitectura de silicio.
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