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CoolSiC G2 MOSFET de alto rendimiento de 650 y 1.200 V

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Los CoolSiC G2 MOSFET Generation 2, que fomentan la descarbonización, son ideales en sistemas de alimentación y conversión de energía.

Infineon Technologies introduce la próxima generación de tecnología de MOSFET trench de carburo de silicio (SiC) a través de los nuevos Infineon CoolSiC MOSFET de 650 y 1.200 V Generation 2, que ofrecen mejoras en almacenamiento de energía y cargas (hasta un 20 por ciento con respecto a la anterior generación). El objetivo es cumplir los requisitos de sistemas de alimentación y conversión de energía y contribuir a la descarbonización.

Beneficios de la tecnología de SiC

La tecnología CoolSiC MOSFET Generation 2 (G2) continúa aprovechando los beneficios del carburo de silicio (SiC) para reducir la pérdida de energía y, en consecuencia, aumentar la eficiencia durante la conversión de potencia. Esto resulta de gran ayuda en sistemas fotovoltaicos, almacenamiento de energía, recarga con CC de vehículos eléctricos (VE) y fuentes de alimentación industriales.

Por ejemplo, una estación de carga rápida mediante CC para VE equipada con CoolSiC G2 permite disminuir hasta un 10 por ciento la pérdida de potencia en comparación con las generaciones previas, sin comprometer el formato. Los inversores de tracción con CoolSiC G2 pueden aumentar la autonomía de los vehículos, mientras que en el área de las energías renovables, los inversores solares con CoolSiC G2 posibilitan una miniaturización y mantienen una salida de alta potencia con un menor coste por vatio.

Contribuyendo a la llegada de soluciones CoolSiC G2 de alto rendimiento la tecnología CoolSiC MOSFET trench de Infineon dota de un diseño optimizado que aporta mejoras en eficiencia y fiabilidad. En combinación con la tecnología de encapsulado .XT, la compañía pretende incrementar el potencial de los diseños basados en CoolSiC G2 con una mayor conductividad térmica y un mejor control de ensamblaje.

Pensando en el diseñador

Al ofrecer soporte a las tecnologías en silicio, carburo de silicio y nitruro de galio (GaN), Infineon proporciona flexibilidad de diseño y conocimientos de aplicaciones de vanguardia que superan las expectativas de los diseñadores modernos. Los semiconductores basados en materiales de banda prohibida ancha (WBG), como SiC y GaN, son la clave para un uso consciente y eficiente de la energía al fomentar la descarbonización.

Resulta posible obtener más información de los MOSFET G2 en el “Servicio al lector de NTDhoy” o en sus distribuidores internacionales Digikey (mira aquí) o Mouser Electronics (mira aquí).


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