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Componente de potencia half-bridge en MOSFET de 30 V

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Con un encapsulado PowerPAIR 3x3F, el componente de potencia half-bridge, modelo SiZF300DT, aporta mejoras en densidad, corriente de salida y eficiencia.

Mouser Electronics, el distribuidor global autorizado con los semiconductores y componentes electrónicos más nuevos, fue nombrado distribuidor del año de catálogo 2019 por Vishay Intertechnology, introduce una nueva fase de potencia half-bridge n-channel de 30 V que combina un MOSFET TrenchFET high side y un MOSFET SkyFET low side con un diodo Schottky integrado en un encapsulado PowerPAIR de 3,3 x 3,3 mm.

Para tareas de conversión de potencia en aplicaciones informáticas y telecomunicaciones, el modelo Vishay Siliconix SiZF300DT ayuda a incrementar la densidad y la eficiencia y, al mismo tiempo, reducir la cantidad de componentes y simplificar los diseños.

Los dos MOSFET están conectados internamente en una configuración half-bridge. El MOSFET de canal 1 ofrece una resistencia (on-resistance) máxima de 4,5 mΩ a 10 V y 7 mΩ a 4,5 V, mientras que el MOSFET de canal 2 se caractriza por una resistencia de 1,84 mΩ a 10 V y 2,57 mΩ a 4.5 V. La carga de puerta típica para los MOSFET se sitúa en 6,9 y 19,4 nC, respectivamente.

Así, este componente de potencia half-bridge en MOSFET de 30 V tiene un tamaño un 65 por ciento menor que dispositivos duales en encapsulados de 6 x 5 mm con una resistencia similar, convirtiéndose en uno de los productos más compactos del mercado.

Algunas características exclusivas

El nuevo modelo dota a los diseñadores de una solución que ahorra espacio en conversión de punto de carga (POL), fuentes de alimentación y convertidores buck y DC/DC simultáneos en tarjetas gráficas y aceleradoras, ordenadores, servidores y equipos de telecomunciaciones y red RF.

Componente de potencia half-bridge en MOSFET de 30 V

Ambos MOSFET poseen una configuración de pin y una construcción exclusivas que respaldan una corriente de salida por fase un 11 por ciento superior que productos con el mismo tamaño, así como una mayor eficiencia para una corriente de salida por encima de 20 A.

La configuración de pin y el pad PGND también contribuyen a mejorar la transferencia térmica, optimizar el camino eléctrico y simplificar la distribución de PCB.

El SiZF300DT es cien por cien Rg y libre de halógenos y cuenta con los marcados UIS y RoHS.

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