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ASFC4G31M-51BIN y ASFC8G31M-51BIN Soluciones eMMC de 4 y 8 GB de grado industrial

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Las dos soluciones eMMC, que se presentan en un encapsulado FBGA 153-ball, simplifican los diseños y ahorran espacio en aplicaciones de consumo y redes.

Alliance Memory introduce dos nuevas soluciones embedded multi-media card (eMMC) de grado industrial. Ideales en aplicaciones de almacenamiento en estado sólido en aplicaciones de consumo, entornos industriales y redes, los modelos ASFC4G31M-51BIN de 4 GB y ASFC8G31M-51BIN de 8 GB integran memoria flash NAND con un controlador eMMC y software de gestión de flash transition layer (FTL) en un encapsulado FBGA 153-ball de 11,5 x 13 mm.

Ambas novedades, que son compatibles con el estándar JEDEC eMMC v5.1, soportan funciones como boot operation, replay protected memory block (RPMB), generación de informes de estado, actualización de firmware sobre el terreno y notificación de apagado, para respaldar una operación más rápida y fiable, high-priority interrupt (HPI) y modos HS200 y HS400 de alta velocidad. También son compatibles con eMMC v4.5 y v5.0.

El ASFC4G31M-51BIN y el ASFC8G31M-51BIN se podrán emplear en productos como relojes inteligentes, tabletas, televisores digitales, set-top boxes (STB), cascos de RV y RA, cámaras digitales, infoentretenimiento, CCTV, vigilancia, automatización, sistemas de punto de venta (TPV) y aplicaciones embebidas emergentes.

Ventajas y beneficios e las memorias eMMC

Con estas nuevas soluciones, los diseñadores pueden simplificar los diseños y acelerar a integración en sus productos, acortando así el tiempo de llegada al mercado. También pueden ahorrar espacio al eliminar la necesidad de un controlador externo.

ASFC4G31M-51BIN y ASFC8G31M-51BIN Soluciones eMMC de 4 y 8 GB de grado industrial

Además, el software FTL de los dispositivos de memoria aporta mejoras en fiabilidad y estabilidad de rendimiento.

Los modelos ASFC4G31M-51BIN y ASFC8G31M-51BIN operan en el rango de temperatura industrial de -40 a +85 °C y ofrecen anchos de bus programables de x1, x4 y x8.

La memoria NAND con LDO interno se puede alimentar a través de una tensión de 3 V, mientras que el controlador puede rendir con tensiones de 1,8 o 3 V.

Existe más información de las dos soluciones eMMC en este enlace.

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