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Amplificadores de potencia GaN

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Amplificadores de potencia GaN Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, ha anunciado la disponibilidad en stock de los amplificadores de potencia GaN (Nitruro de Galio) modelos HMC8205 de Analog Devices.

Cubriendo el espectro de 300 MHz a 6 GHz, este amplificador de radiofrecuencia (RF) MMIC de banda ancha ofrece mejoras significativas a los diseñadores de sistema de aplicaciones como infraestructura inalámbrica, radar, radio móvil pública y equipos de test de amplificación de propósitos generales que requieren soporte de onda de pulso o continua (CW).

El HMC8205 se caracteriza por su integración, ganancia, eficiencia y amplio ancho de banda en un pequeño formato que necesita mínima circuitería externa y reduce la cantidad de componentes y el espacio de tarjeta.

Estos amplificadores de potencia GaN para diseños de banda ancha combinan un choque de alimentación DC / RF bias, con condensadores de bloqueo DC y fase de controlador en un solo diseño, al mismo tiempo que entregan 45.5 dBm (35 W) con una eficiencia de potencia añadida (PAE) de hasta el 44 por ciento sobre un ancho de banda instantáneo de 0.3 a 6 GHz.

Diseños posibles con los amplificadores de potencia GaN

El modelo de ADI cuenta con el respaldo de la EVAL-HMC8205, una tarjeta de evaluación de dos capas que incluye el propio amplificador, un RFIN coaxial de 50 Ω y conectores RFOUT, y un heat spreader de cobre para alivio térmico. La placa también incorpora huecos de montaje que facilitan la fijación de un disipador de calor externo y, como consecuencia, mejoran la gestión.

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