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AMDUA040N070RH MOSFET MXT de 40 V con encapsulado dual PDFN56 para VE

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El MOSFET MXT de 40 V AMDUA040N070RH contribuye a reducir el tamaño y las pérdidas de conducción en el sistema.

Magnachip Semiconductor anuncia el comienzo de la producción masiva de su nuevo transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) MXT de 40 V, optimizado para bombas de agua eléctricas (EWP) y bombas de aceite eléctricas (EOP) en vehículos eléctricos (VE).

El nuevo MOSFET MXT de 40 V (AMDUA040N070RH) se presenta en un encapsulado dual Power Dual Flat No-lead (PDFN56) para reducir el tamaño de la tarjeta de circuito impreso (PCB) un 50 por ciento en comparación con usar dos MOSFET singlepackaged de 40 V. Este formato compacto dota de mayor flexibilidad en el diseño de sistema.

La baja RDS(on) del encapsulado PDFN56 disminuye las pérdidas de conducción y, en consecuencia las aplicaciones se pueden controlar de forma eficiente.

El AMDUA040N070RH, que posee el certificado AEC-Q101, garantiza rendimiento y estabilidad con un diseño “mejorado” de las celdas core y las terminaciones para el sector del automóvil.

AMDUA040N070RH MOSFET MXT de 40 V con encapsulado dual PDFN56 para VE

“Desde 2008, hemos fortalecido nuestras capacidades tecnológicas en el área de soluciones de alimentación”, destaca YJ Kim, CEO de Magnachip. “Como proveedor de MOSFET de alto rendimiento, continuamos proporcionando innovación para responder a la creciente demanda en aplicaciones responsables con el medio ambiente”.

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