QSiC Dual3 amplía la familia de módulos MOSFET SiC de medio puente con opciones térmicas avanzadas para convertidores AC-DC y transformadores de estado sólido.
Los nuevos QSiC Dual3 de SemiQ amplían una familia de módulos MOSFET SiC, es decir, transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de carburo de silicio, orientada a convertidores de potencia de alta eficiencia.
La gama incorpora versiones de alto rendimiento térmico con sustratos de AlN, nitruro de aluminio, y TIM, material de interfaz térmica, preaplicado para mejorar el acoplamiento con el sistema de disipación.
Además, la familia suma dispositivos de 1700 V y mantiene opciones de 1200 V dentro de un encapsulado S4B1 de medio puente destinado a diseños de electrónica de potencia compactos.
En concreto, estos módulos se dirigen a convertidores AC-DC, de corriente alterna a corriente continua, y a SST, transformadores de estado sólido, empleados en sistemas de alimentación para centros de datos de inteligencia artificial.
Arquitectura QSiC Dual3 para conversión de potencia
Desde el punto de vista del diseño electrónico, la configuración de medio puente facilita su integración en etapas de potencia donde resultan críticos el control de pérdidas, la densidad de corriente y la estabilidad térmica.
Algunas referencias alcanzan una RDSon, resistencia en conducción, de 1 mΩ, junto con niveles de 1150 A y 1200 V en un formato físico de 62 x 152 mm.
Asimismo, determinadas versiones incluyen un SBD, diodo de barrera Schottky, conectado en paralelo para reducir pérdidas de conmutación y mejorar el comportamiento eléctrico en entornos de alta temperatura.
La combinación de MOSFET SiC de baja resistencia y diodos Schottky opcionales permite elevar la eficiencia de conversión sin aumentar de forma innecesaria el volumen del conjunto de potencia.
Sustrato AlN y TIM preaplicado en electrónica de potencia
Las opciones identificadas con el sufijo -NT integran sustrato de nitruro de aluminio y material de interfaz térmica preaplicado, por tanto reducen variables de montaje asociadas a la transferencia de calor.
Una baja resistencia térmica entre unión y carcasa ayuda a simplificar el diseño del disipador, mientras que permite emplear soluciones más ligeras en convertidores de alta densidad.
Para aplicaciones de alimentación continua en centros de datos, esta mejora térmica resulta relevante porque los convertidores deben operar de forma sostenida bajo demanda eléctrica elevada.
Por otro lado, la familia también se aplica en convertidores de red para sistemas de almacenamiento de energía y en accionamientos de motores industriales usados en enfriadoras y torres de refrigeración.
Nuevas referencias de 1200 V y 1700 V
Entre las referencias de 1200 V figuran GCMX1P0B120S4B1(-NT), GCMX1P4B120S4B1(-NT) y GCMX2P0B120S4B1(-NT), sin diodo SBD y con valores de RDSon de 1, 1,4 y 2 mΩ.
También se incluyen las versiones GCMS1P0B120S4B1(-NT), GCMS1P4B120S4B1(-NT) y GCMS2P0B120S4B1(-NT), que añaden SBD en paralelo con los mismos valores de resistencia en conducción.
A continuación, las nuevas opciones de 1700 V corresponden a GCMX1P7C170S4B1(-NT) y GCMS1P7C170S4B1(-NT), ambas con 1,7 mΩ y disponibilidad prevista en los próximos meses.
La familia se ha desarrollado para facilitar la sustitución de módulos IGBT, transistor bipolar de puerta aislada, con un rediseño limitado en plataformas ya basadas en encapsulados de potencia similares.
Además, todos los dados MOSFET se someten a pruebas de quemado de óxido de puerta a nivel de oblea por encima de 1450 V, lo que refuerza el control de calidad del componente antes del encapsulado.
Para arquitecturas de alimentación avanzadas, estos módulos permiten abordar conversiones directas desde redes de media tensión de 13,8 kV o 35 kV AC hacia buses de 800 V DC.
Si te interesan este tipo de productos, en nuestra categoría MOSFET puedes encontrar más información sobre las soluciones disponibles actualmente.
Si necesitas más información técnica sobre los nuevos módulos MOSFET SiC QSiC Dual3 con sustrato AlN, puedes escribirnos mediante un COMENTARIO.
O bien utiliza nuestro SERVICIO AL LECTOR gratuito.
#QSiCDual3, #SemiQ, #ModulosMOSFETSiC, #CarburoDeSilicio, #ConvertidoresACDC, #SST, #AlN, #ElectronicaDePotencia
