Inicio Mouser Electronics Transistores FETs GaN

Transistores FETs GaN

907
0

Utilizados en aplicaciones como fuentes de alimentación u ordenadores, estos FETs GaN proporcionan un mayor rendimiento a niveles de corriente más altos.

Mouser Electronics, distribuidor global autorizado con los semiconductores y componentes electrónicos más nuevos, anuncia la adición de dos nuevos semiconductores FET (Field-Effect Transistor) de Transphorm basados en la tecnología del nitruro de galio, que son los primeros de la tercera generación de transistores PQFN88.

Son dispositivos de 650 V, de los cuales disponemos de dos versiones: la TP65H070LSG (source tab) y la TP65H070LDG (drain tab). Ambas ofrecen una resistencia de 72 miliohmios.

Estos nuevos FETs GaN de transphorm son más fiables, y en ellos se combina un MOSFET de diseño personalizado con bajo voltaje, con el FET GaN, lo cual permite ofrecer, en primer lugar, un cambio más silencioso.

También proporciona un mayor rendimiento cuanto más altos sean los niveles de corriente con un mínimo circuito externo mientras aumenta la inmunidad al ruido (con un umbral de voltaje de 4 V).

Incrementa la robustez de la puerta (a ±20 V), y los paquetes de drenado y fuente Gen III incluyen pines más anchos para mejorar la fiabilidad a nivel de placa (BLR, por sus siglas en inglés), lo cual permite incrementar la fiabilidad de los diseños PCB de múltiples capas.

Formatos disponibles en los componentes

Transistores FETs GaN

Ofrecen configuraciones de drain and source tab, acomodando también las localizaciones de switch lateral alto y bajo, con lo que proporciona una mayor inmunidad radiada, ya que la almohadilla grande está soldada al nodo que carece de conmutación.

Y, además, permiten agregar dispositivos PQFN88 a la lista existente de FETs Gen III TO-XXX proporciona a los ingenieros una oportunidad para explorar las aplicaciones de montaje en superficie por GaN empleando la última tecnología de Transphorm.

La adquisición de estos nuevos semiconductores ya puede ser realizada en paquetes de un millar de unidades. La adopción de electrónica basada en GaN de alto voltaje va al alza para aplicaciones como las fuentes de alimentación industriales, los PCs para gaming, o los generadores solares portables entre otros dispositivos.

DEJA UNA RESPUESTA

Please enter your comment!

  Acepto la politica de privacidad y la suscripcion gratuita al semanario de noticias.

Informacion sobre proteccion de datos

  • Responsable: NTDhoy, S.L.
  • Fin del tratamiento: Controlar el spam, gestion de comentarios
  • Legitimacion: Su consentimiento
  • Comunicacion de los datos: No se comunican los datos a terceros salvo por obligacion legal.
  • Derechos: Acceso, rectificacion, portabilidad, olvido.
  • Contacto: info@ntdhoy.com.
  • Informacion adicional: Mas informacion en nuestra politica de privacidad.

Please enter your name here

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.