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Transformador Gate-drive con núcleo EP7

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Para permitir la activación de los MOSFETs del secundario, los convertidores Flyback alineados de manera sincronizada, deberán estar equipados con un transformador gate-drive aislado galvánicamente.

Transformador Gate-drive con núcleo EP7Würth Elektronik, fabricante de componentes electrónicos y electromecánicos para la industria electrónica, amplía su serie WE-GDT incorporando el transformador gate-drive con núcleo EP7.

El aislamiento galvánico permite la activación de los MOSFETs bajo condiciones de altas tensiones de hasta 2500 V. La estructura se corresponde a la de un aislamiento básico para tensiones de servicio de 250 Vrms de acuerdo con la norma EN61558-2-16, y garantiza una tensión de prueba de 2500 VAC entre el devanado primario y secundario.

En esta serie de transformador gate-drive con núcleo EP7, el producto Vμs es un 70% más alto que en la serie WE-GDT ya existente, permitiendo con ello la rápida activación de los MOSFETs del secundario. El núcleo EP7 actúa como protección contra campos magnéticos externos, reduciendo, al mismo tiempo, su propio campo magnético radiado, con lo cual se reduce la radiación electromagnética de la aplicación final.

Formatos de transformador gate-drive con núcleo EP7

Los transformadores gate-drive WE-GDT están ya disponibles. Están diseñados con tres devanados separados y hasta cinco relaciones de devanados diferentes. Se pueden solicitar muestras gratuitas en cualquier momento.