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Tarjeta de evaluación para controladores GaN de 650 V

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Esta nueva tarjeta de evaluación para controladores GaN de 650 V, titulada GS-EVB-HB-66508B-ON1, respalda la llegada de diseños con elevada densidad de potencia.

Richardson RFPD, una compañía Arrow Electronics, anuncia la disponibilidad de una nueva tarjeta de evaluación de IC controlador de nitruro de galio (GaN) de 650 V de GaN Systems y sus capacidades de soporte de diseño.

Para esto, la tarjeta de evaluación GS-EVB-HB-66508B-ON1 se compone de una solución de controlador de puerta NCP51820 de ON Semiconductor, con dos E-HEMT GaN GS66508B de GaN Systems en un formato half-bridge muy integrado y totalmente funcional.

La operación de 1 MHz y la CMTI de 200 V/ns respaldan la llegada de diseños de sistema basados en GaN de elevada densidad de potencia.

Tarjeta de evaluación para controladores GaN de 650 V

Y, de tal forma, la tarjeta facilita la evaluación de sistemas GaN en una distribución muy compacta con el controlador de puerta NCP51280.

Por otro lado, la GS-EVB-HB-66508B-ON1 está especialmente indicada en adaptadores AC-DC para móviles, televisores OLED y juegos, fuentes de alimentación (de hasta 3 kW) de centros de datos, inversores fotovoltaicos y bridgeless totem pole PFC, LLC, ACF y ZVS.

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