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Semiconductores de potencia GaN verticales

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Los nuevos MOSFET y diodos de barrera Schottky con elevada tensión breakdown y baja pérdida son semiconductores de potencia GaN verticales para elevada corriente.

Semiconductores de potencia GaN verticales Toyoda Gosei ha alcanzado una operación de elevada corriente state-of-the-art en un semiconductor de potencia GaN desarrollado usando nitruro de galio, un material esencial en LED azules.

Los semiconductores de potencia GaN se suelen usar en convertidores como fuentes de alimentación y adaptadores de dispositivos electrónicos. Sin embargo, resulta difícil beneficiarse de alta tensión breakdown y baja pérdida (de conducción y conmutación) con alternativas de silicio convencional.

Los productos de Toyoda Gosei usa GaN con propiedades de elevado voltaje breakdown y baja pérdida y emplea una estructura de dispositivo vertical en la que la corriente eléctrica fluye verticalmente desde o hasta un sustrato.

Estas características permiten a un chip transistor de potencia GaN operar con una corriente de más de 50 A, la mayor hasta la fecha para transistores GaN verticales, y rendir con elevada frecuencia (varios megahercios).

Futuro para los semiconductores de potencia GaN

Toyoda Gosei tiene previsto seguir desarrollando semiconductores de potencia con mejoras en fiabilidad y colaborar con otros fabricantes de componentes electrónicos.

La compañía está demostrando sus nuevos transistores de potencia GaN verticales (MOSFET) y diodos de barrera Schottky, así como el primer convertidor DC-DC GaN vertical, en su estand de la Techno-Frontier 2018 Advanced Electronic & Mechatronic Devices & Components Exhibition (Chiba – Japón).

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