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OptiMOS MOSFET SD en encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3 mm²

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Con un rango de tensión de 25 a 150 V, las versiones OptiMOS BSC y BSD en encapsulado PQFN contribuyen a reducir las pérdidas de potencia y optimizar la gestión térmica.

El diseño de sistemas de electrónica de potencia del futuro intenta aumentar el rendimiento y la densidad. Con la misión de respaldar esta tendencia, Infineon Technologies lanza una nueva familia de productos PQFN de 3,3 x 3,3 mm² Source-Down (SD) en clases de 25 a 150 V con variantes BottomSide (BSC) y DualSide Cooling (DSC).

Estos productos aportan mejoras significativas en el nivel de componente para proporcionar soluciones atractivas en conversión de potencia DC-DC, abriendo nuevas posibilidades a la innovación de sistema en servidores, telecomunicaciones, ORing, protección de batería, herramientas eléctricas y cargadores.

Tecnología para mejorar el componente

Las novedades combinan la última tecnología de MOSFET de Infineon con un encapsulado vanguardista. En el concepto SD, el contacto de fuente de die de MOSFET se “voltea” hacia el lado de la huella del encapsulado, que se suelda posteriormente a la PCB. Además, este concepto incluye un diseño de clip en la parte superior del chip para el contacto de drenaje y una excelente ratio chiptopackage.

Dado que los formados de sistemas continúan disminuyendo, hay dos aspectos esenciales: reducción de las pérdidas de potencia y optimización de la gestión térmica. En comparación con los (mejores) dispositivos Drain-Down PQFN de 3,3 x 3,3 mm², esta nueva familia mejora la resistencia (R DS(on)) en hasta un 35 por ciento.

Los modelos OptiMOS SourceDown PQFN con Dual-Side Cooling de Infineon poseen una interfaz térmica mejorada para redirigir las pérdidas de potencia desde el interruptor hacia el disipador de calor. Las versiones Dual-Side Cooling dotan de la forma más directa de conectar un interruptor de alimentación a un heatsink, incrementando así la capacidad de disipación de calor (hasta el triple) con respecto a la variante BottomSide Cooled SourceDown.

Formatos para cada aplicación

Se encuentran disponibles dos versiones diferentes para garantizar la flexibilidad en el routing de PCB. Una variante StandardGate tradicional facilita la modificación de los diseños Drain-Down existentes.

OptiMOS MOSFET SD en encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3 mm²

Y una variante CenterGate (CG) crea nuevas posibilidades para que los dispositivos paralelos mantengan la conexión de controlador a puerta lo más corta posible.

Con una capacidad de corriente continua de hasta 298 A, toda la familia OptiMOS Source-Down PQFN de 3,3 x 3,3 mm² y 25-150 V respalda las máximas prestaciones de sistema.

Existe más información de los MOSFET SD PQFN en este enlace.

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