La firma adapta su cadena de suministro e impulsa materiales de banda ancha para centros de datos y aplicaciones de automoción.
Originada como una escisión de NXP y, por tanto, descendiente directa del negocio de semiconductores de la neerlandesa Philips, Nexperia representa actualmente un volumen de envíos equivalente a aproximadamente una décima parte del total mundial del sector de los semiconductores.
Con fábricas en las ciudades europeas de Hamburgo y Manchester, así como centros de ensamblaje en Asia, la compañía ha experimentado durante la última década una expansión sostenida en diferentes áreas, entre ellas la automoción.
Durante el evento Pretzl Connect, en el que varios periodistas tuvimos la oportunidad de hablar con representantes de la firma, estos abordaron los problemas surgidos en sus operaciones en China, relacionados concretamente con Wingtech, compañía vinculada a Nexperia que se encuentra bajo administración fiduciaria debido a procesos legales en curso.
Esta situación provocó una pérdida de control administrativo sobre las filiales ubicadas en el país asiático, lo que derivó en una separación estructural entre las operaciones occidentales y orientales. La resolución judicial de este escenario legal está prevista para el próximo semestre.
Para mitigar las alteraciones derivadas de esta coyuntura, la dirección puso en marcha un plan de recuperación orientado a incrementar sustancialmente la capacidad de producción fuera de China. En este contexto, los centros de producción de Filipinas y Malasia están aumentando su actividad con el objetivo de establecer una cadena de suministro alternativa.
Este ajuste estructural responde a las demandas de los mercados occidentales, que buscan infraestructuras logísticas diferenciadas y resistentes frente a los condicionantes geopolíticos actuales.
Evolución técnica y nuevos materiales semiconductores
En paralelo a la reorganización corporativa, la estrategia productiva se centra en el desarrollo de semiconductores de banda ancha basados en carburo de silicio y nitruro de galio. Estos materiales complementan al silicio tradicional y permiten adaptar las características de los dispositivos a los requisitos específicos de cada aplicación.
El procedimiento de desarrollo consiste en analizar las necesidades de diseño de los dispositivos y seleccionar el material más adecuado para equilibrar el rendimiento térmico, la eficiencia energética y la densidad de potencia.
Esta evolución resulta fundamental para satisfacer las exigencias de infraestructuras de alta complejidad, como los centros de datos destinados a aplicaciones de inteligencia artificial, unas instalaciones que necesitan gestionar niveles de potencia superiores a los 250 kW y evolucionan hacia arquitecturas trifásicas de alta tensión.
Asimismo, los nuevos semiconductores facilitan la transferencia bidireccional de energía en vehículos eléctricos, posibilitando que las baterías devuelvan electricidad a la red general o a la infraestructura doméstica cuando el sistema lo permite.
El concepto de transferencia energética bidireccional se extiende también a la gestión energética urbana y a las instalaciones de energías renovables. Los sistemas fotovoltaicos y las soluciones de almacenamiento emplean semiconductores de potencia para gestionar la energía acumulada y facilitar su distribución, permitiendo que los usuarios puedan convertirse en proveedores ocasionales de electricidad.
En todas estas aplicaciones, los responsables de ingeniería destacan la necesidad de comprobar el comportamiento de los componentes mediante pruebas reales en condiciones de funcionamiento, ya que los valores teóricos documentados en las hojas de características pueden diferir de los obtenidos bajo condiciones de trabajo intensivo.
Lanzamientos previstos y nuevos componentes de Nexperia
Para responder a estas necesidades, el desarrollo de nuevos productos incluye modificaciones en el encapsulado y la gestión térmica, con soluciones que incorporan sistemas de refrigeración en la parte superior de los dispositivos. Estas mejoras permiten reducir el tamaño físico de los componentes sin comprometer la disipación del calor, un factor esencial cuando trabajan con corrientes elevadas.
La miniaturización facilita la integración de la electrónica de potencia en espacios reducidos, una característica de interés para los sistemas de control de equipos robóticos, actuadores y articulaciones electromecánicas.
De cara a la feria Electronica, Nexperia presentará una ampliación de su catálogo de componentes discretos. Entre los lanzamientos anunciados figuran nuevas familias de transistores basados en carburo de silicio, diseñados para distintos rangos de tensión y orientados a los mercados industrial y de automoción.
Complementariamente, la compañía introducirá nuevos diodos que ampliarán las opciones disponibles para gestionar la conversión de energía en aplicaciones con elevadas exigencias eléctricas.
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