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MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE

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Con un voltaje soportado de 30 V, a los MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE debe añadírseles el PMCA14UN de 12 V.

Nexperia, firma neerlandesa especializada en la producción de semiconductores esenciales para el diseño de aparatos electrónicos electrónicos, presenta sus nuevos MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE de 30 V.

Podemos encontrar más información del primer modelo aquí, mientras que para consultar los detalles del segundo tendremos que acceder a esta página.

Son MOSFETs de trinchera de baja señal y con N canales, que se presentan en un encapsulado ultra compacto de nivel de oblea del tipo DSN1006, que ofrecen un RDS(on) -según declaraciones procedentes de la misma Nexperia- líder del mercado con hasta un 25% de mejora respecto a su competencia directa, para permitir que la energía vaya más allá donde los espacios son constreñidos y el tiempo de runtime de la batería es crítico.

Por su tamaño, son idóneos para dispositivos electrónicos altamente miniaturizados, tales como los teléfonos o relojes inteligentes, las ayudas auditivas y los auriculares.

Disminuyen las pérdidas de energía e incrementan la eficiencia en conmutación de carga y la gestión de la batería. Su rendimiento mejorado también le permite reducir el autocalentamiento, lo que a su vez redunda en la mejora de la comodidad del usuario de dispositivos wearables.

Respectivamente, los PMCB60XN y PMCB60XNE presentan un RDS(on) máximo de 50 y 55 mOhmios a un VGS de 4,5 voltios, lo cual les confiere la resistencia propia más baja por área de die entre los MOSFETs similares de 30 V existentes en el mercado.

Además, el PMCB60XNE se entrega con protección ESD incorporada nominal para 2 kV (modelo de cuerpo humano – HBM), integrado en el contorno del diminuto DSN1006 de solamente 1×0,6×0,2 mm. Ambos ejemplares de MOSFET cuentan con una clasificación para manejar corriente de drenaje de hasta 4 A.

Complemento a los anteriores modelos

MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE

Además de los dos ejemplares, Nexperia también ha presentado el PMCA14UN, un MOSFET de trinchera y N canales que opera con 12 V, en un encapsulado DSN1010 que cuenta con un contorno de 0,96×0,96×0,24 mm (SOT8007). Este último ejemplar cuenta con un RDS(on) de 16 mOhmios con un VGS de 4,5 V.

Del PMCA14UN podemos encontrar más información aquí.

Estos tres modelos se encuentran ya en fase de producción y se pueden adquirir.

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