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MOSFETs automotrices de 30 y 40 V P-channel y N-channel

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Capaces de soportar una temperatura de unión de hasta 175 grados, los MOSFETs automotrices de 30 y 40 V P-channel y N-channel se encuentran disponibles en varios encapsulados.

PANJIT, empresa reconocida en la industria de componentes electrónicos, anuncia el lanzamiento al mercado su última innovación en MOSFETs automotrices de 30 y 40 V P-channel y N-channel, orientados a optimizar los sistemas electrónicos de los vehículos rodados.

Los MOSFETs P-channel de PANJIT disponen de calificación AEC-Q101 y una temperatura de unión máxima de 175 grados centígrados. Ofrecen una opción fiable y eficiente para los ingenieros de diseño que buscan fiabilidad y simplificación en sus circuitos, y se caracterizan por disminuir la resistencia en estado activo, RDS(ON), y maximizar la robustez ante avalanchas, lo cual es crucial en aplicaciones automotrices.

Se encuentran disponibles en una variedad de encapsulados flexibles, entre los que se incluyen los DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, TO-263, y TO-263-7L, proporcionando así una amplia gama de opciones para distintos diseños de circuitos.

Alta temperatura de unión

Por otro lado, los MOSFETs N-channel de PANJIT emplean tecnología avanzada de trinchera, lo que les permite ofrecer un buen mérito de figura (FOM), menor RDS(ON) y capacitancia. Se encuentran disponibles en encapsulados de bajo perfil como DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, y TO-252AA. Esta variedad contribuye a diseños de PCB eficientes y fiables, lo cual es un aspecto crítico en el ámbito automotriz.

Características destacadas de los MOSFETs P-channel de PANJIT incluyen su modo de mejora de canal P, baja RDS(ON) para minimizar las pérdidas por conducción, encapsulados con baja resistencia térmica, prueba de conmutación inductiva no sujeta al 100%, capacidad de dispositivo sensible a electrostáticos (ESD), calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP, y una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 grados, disponibles en el encapsulado TO-263-7L.

En cuanto a los MOSFETs N-channel, estos dispositivos destacan por su tecnología avanzada de trinchera en 30 y 40 V, baja RDS(ON) para minimizar las pérdidas por conducción, bajo FOM para reducir las pérdidas del conductor, disponibilidad en niveles estándar y lógicos, calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP, y una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 grados.

En el “Servicio al lector de NTDhoy” puedes solicitar más información sobre los MOSFETs automotrices P-channel y N-channel.


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