Con un encapsulado DFN8x8, los MOSFET αMOS5 AONV110A60 y AONV140A60 se dirigen a servidores, microinversores fotovoltaicos y adaptadores delgados.
Alpha and Omega Semiconductor, diseñador, desarrollador y fabricante de semiconductores de potencia, circuitos integrados (CI) y productos digitales, anuncia el lanzamiento de MOSFET Super Junction αMOS5 de 600 V y 110 y 140 mΩ en encapsulado DFN8x8.
αMOS5 es la última generación de MOSFET de alta tensión de AOS y está diseñada para cumplir los requisitos de eficiencia y densidad de cargadores rápidos, adaptadores, PC Power e Industrial Power, servidores, telecomunicaciones y centros de datos hiperescala.
Los modelos AONV110A60 y AONV140A60 son dos MOSFET de 600 W y poca cantidad de ohmios en el encapsulado DFN8x8 (de 8 x 8 x 0,9 mm) con Kelvin Source. En comparación con otros encapsulados como D2PAK, DPAK o TO-220(F), DFN8x8 es un formato de menores dimensiones que ofrece un buen balance entre tamaño y disipación térmica.
Posibles usos y aplicaciones
Ocupando 64 mm², las novedades resultan ideales en aplicaciones Active Bridge y PFC/Flyback/LLC de alta densidad. Si la comparamos con cuatro modelos AONV110A60 con el puente de diodo GBU806 de 8 A bajo un escenario de 90 Vac y 300 W, la solución Active Bridge con AONV110A60 reduce la pérdida de potencia casi un 50 por ciento (pérdida de 3,16 W con Active Bridge vs. 6,12W con Diode Bridge) y aumenta la eficiencia un 1,1 por ciento.
Además, los dos componentes αMOS5 DFN8x8 se pueden utilizar en aplicaciones con fases PFC y LLC, donde logran una disminución del 57 y del 80 por ciento en tamaño y peso, respectivamente, en comparación con D2PAK.
Aparte de las aplicaciones de servidor, el AONV110A60 y el AONV140A60 también se pueden emplear en microinversores fotovoltaicos y adaptadores delgados, donde contribuyen a maximizar la densidad y la eficiencia y minimizar las pérdidas.
