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MOSFET SiC de 1700 V sin encapsular

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El catálogo de carburo de silicio con MOSFET SiC de 1700 V sin encapsular, discretos y módulos de potencia ofrece más opciones a los diseñadores para ampliar la eficiencia y la densidad de potencia.

Los sistemas de carga eléctrica que alimentan en la actualidad los vehículos comerciales, así como sistemas de alimentación auxiliar, inversores solares, transformadores de estado sólido y otras aplicaciones de transporte e industriales se basan en dispositivos de potencia que conmutan a alta tensión.

Para cubrir estos requisitos, Microchip Technology anuncia la ampliación de su catálogo de carburo de silicio con una familia de MOSFET de carburo de silicio de 1700 V sin encapsular, discretos y módulos de potencia de alta eficiencia y fiabilidad.

La tecnología de carburo de silicio (SiC) de 1700 V de Microchip es una alternativa a los IGBT de silicio. La tecnología anterior exigía que los diseñadores vieran comprometido el rendimiento y utilizaran topologías complicadas debido a limitaciones en la frecuencia de conmutación por las pérdidas en los IGBT de silicio.

Además, el tamaño y el peso de los sistemas electrónicos de potencia se ven incrementados por los transformadores, que solo pueden reducir su tamaño aumentando la frecuencia de conmutación.

Beneficios de los nuevos MOSFET SiC

La nueva familia de MOSFET SiC de 1700 V (mira aquí) permite que los ingenieros den un paso adelante con sus IGBT al utilizar topologías de dos niveles con menos componentes, una eficiencia muy superior y unas técnicas de control más sencillas.

Sin limitaciones a la conmutación es posible reducir de manera significativa el tamaño y el peso de las unidades de conversión de potencia, liberando así espacio para más estaciones de carga, pasajeros y mercancías, o bien para aumentar la autonomía y el tiempo de funcionamiento de vehículos pesados, autobuses eléctricos y otros vehículos comerciales alimentados por baterías, todo ello a un coste total más bajo del sistema.

Herramientas de desarrollo

Los modelos de simulación SPICE de carburo de silicio, compatibles con el simulador analógico MPLAB Mindi de la marca, proporcionan a los desarrolladores de sistemas los recursos necesarios para simular las características de conmutación antes de iniciar el diseño del hardware.

MOSFET SiC de 1700 V sin encapsular

La herramienta ICT (Intelligent Configuration Tool) permite que los diseñadores desarrollen modelos de controladores de puerta eficientes de carburo de silicio para la familia de controladores digitales de puerta programables AgileSwitch.

Finalmente, los MOSFET SiC de 1700V de Microchip sin encapsular, discretos y módulos de potencia ya se encuentran disponibles para pedidos en diversos encapsulados en los distribuidores Digi-Key Electronics y Mouser Electronics.

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