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MOSFET de potencia TrenchFET

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MOSFET de potencia TrenchFET

Vishay Intertechnology ha dado a conocer recientemente los primeros MOSFET de potencia TrenchFET calificados AEC-Q101 con tecnología ThunderFET. P

Para aumentar la eficiencia y ahorrar espacio en aplicaciones de automoción, el nuevo MOSFET de potencia TrenchFET Vishay Siliconix 100 V SQJ402EP de canal n, el SQJ488EP y el SQD50N10-8m9L ofrecen algunos de los valores más bajos de resistencia disponibles en los paquetes PowerPAK SO-8L y DPAK.

La tecnología ThunderFET de este fabricante permite la más baja resistencia por unidad de superficie. En aplicaciones donde la menor resistencia es crucial, el SQD50N10-8m9L en el paquete DPAK es la elección idónea ya que proporciona valores excepcionalmente bajos de resistencia de hasta 8,9 mΩ a 10 V. Cuando el espacio es un bien escaso, el SQJ402EP y SQJ488EP son la mejor elección ya que ofrecen valores comparables de hasta 11 mΩ a 10 V en los paquetes PowerPAK SO-8L compactos de 5 mm por 6 mm, que son la mitad del tamaño de la DPAK.

Con corrientes de drenaje continuo a 50 A, los MOSFET de potencia TrenchFET anunciados recientemente están optimizados para aplicaciones de activación del inyector en unidades de control de los motores de automóviles y convertidores de retroceso de los balastos de iluminación en las unidades de control de iluminación.

Con baja carga de puerta de 18 nC, los dispositivos proporcionan una baja carga de puerta en tiempos de resistencia, una figura clave de mérito (FOM) para los MOSFET en aplicaciones de convertidor de CC/CC,para reducir las pérdidas de conmutación y mejorar la eficiencia total del sistema.

Normativas en los MOSFET de potencia TrenchFET

El SQJ402EP, el SQJ488EP y el SQD50N10-8m9L están 100 % libres de halógenos y se han testeado tanto para Rg como para UIS, de acuerdo con la definición JEDEC JS709A, y cumplen la directiva RoHS