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MOSFET de potencia para automoción

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MOSFET de potencia para automoción

Mouser Electronics, una filial de TTI Inc., y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, anuncia la disponibilidad en stock de una nueva familia de International Rectifier (IR) de MOSFET N-channel de 40 V para automoción (AEC-Q101) con tecnología trench Gen 12.7 y Rds(on) ultra baja.

Estos MOSFET de potencia utilizan técnicas de fabricación vanguardistas para lograr una resistencia muy baja y una conmutación muy eficiente de señales de elevada corriente con mínima pérdida.

Los HEXFET Power MOSFET se caracterizan por temperatura de unión de +175 °C, rapidez de conmutación para aumentar la eficiencia y ratio de avalancha repetitivo para entornos adversos.

Estos nuevos dispositivos ofrecen bajas pérdidas de conducción y buenas prestaciones de avalancha para aportar mejores en eficiencia, densidad y fiabilidad.

Las aplicaciones que usen los nuevos dispositivos IR COOLiRFET pueden operar con mayor refrigeración que MOSFET similares.