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Módulos de potencia IGBT hasta 900 A

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Con un rendimiento que comprende menos pérdidas que las generaciones precedentes, estos módulos de potencia IGBT son útiles para su uso en motores industriales o vehículos entre otros.

La especialista germana en semiconductores Infineon Technologies da a conocer sus nuevos módulos de potencia de la gama EconoDUAL 3, con los cuales ofrece una potencia mediana.

En estos módulos, la fabricante alemana ha empleado los chips IGBT7 que la misma presentara este pasado mes de marzo, y que hasta ahora había utilizado en módulos de potencia inferior a los de la serie que ahora presenta.

Gracias a esta tecnología, el módulo de 1.200 V proporciona una corriente nominal de 900 A, facilitando un 30 por ciento más de corriente de salida del inversor para el mismo tamaño de marco en comparación con la tecnología de la generación anterior.

Usos y posibilidades en los nuevos módulos de potencia IGBT

Mientras que mejoras específicas del chip del módulo y el encapsulado se traducen directamente en beneficios para las aplicaciones de motores industriales, también puede ser implementado en diseños para vehículos comerciales, de la construcción, o del ámbito agricultural, servomotores, o inversores solares y se sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI/UPS).

Además, el chip TRENCHSTOP IGBT7 se basa en la nueva tecnología Trench de micro-patrón, rindiendo con muchas menos pérdidas estáticas en comparación con el IGBT4. Su voltaje de estado activo (on-state) se ve reducido en hasta un 30% para la misma área de chip.

Esto proporciona una menor reducción de pérdida en la aplicación, especialmente en el caso de motores industriales, los cuales acostumbran a operar a frecuencias de switching moderadas. Adicionalmente, el comportamiento del oscilador y la controlabilidad del IGBT han sido mejorados. Los módulos de potencia IGBT ofrecen una temperatura máxima de unión de sobrecarga permitida de 175 grados centígrados.

Otra mejora se encuentra en el FWD (siglas en inglés de diodo de rueda libre), el cual ha sido optimizado para su uso en aplicaciones de motores. La caída de voltaje directo del diodo de séptima generación controlado por el emisor (EC7) es ahora de 100 mV, siendo por lo tanto menor que la caída de voltaje directo del diodo EC4, con una tendencia a la oscilación reducida durante la desconexión del diodo.

La mayor densidad de potencia del EconoDUAL 3 ayuda a evitar el paralelismo de los módulos, lo que conduce a una simplificación del diseño del inversor y a disminuir los costes. Además, la nueva tecnología puede ser implementada en el mismo espacio que facilita la actualización de los diseños de sistemas de inversores existentes.

Módulos de potencia IGBT hasta 900 A

Por otro lado, el módulo EconoDUAL 3 viene con un encapsulado mejorado para manejar corrientes y temperaturas más altas. Está disponible con material de interfaz térmica preaplicado (TIM) para una resistencia térmica más baja y una mayor vida útil. La carcasa PressFIT permite un montaje rápido y rentable.

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